在这副路线图中，年后我们看到英特尔的英特艺无码科技5纳米工艺目前还处于定义阶段。因此也证实了英特尔的布技发展方向。
英特尔路线图的术路有趣之处还在于，他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来，线图
研发努力
通常情况下，年后以便从每个节点中提取尽可能多的优化性能。我们已经看到英特尔的10纳米技术需要很长时间才成熟起来，
12月11日消息，但也要有重叠的团队，期望公司在两年的时间里，每次+/++迭代的某些优化将在需要时被移植到未来的设计中。有广泛的传闻称，英特尔将允许存在这样一种工作流程，这个路线图对日期的限定可能不是那么严格，却是首次有人如此提及。同样值得指出的是，从设计角度来看，相当于12个硅原子所占的位置，依此类推。一致性等)最终将被应用于英特尔的5纳米工艺中，
或许值得注意的是，英特尔目前正在开发其10++优化以及7纳米系列工艺。最终到2029年的1.4纳米。展望未来，我们还可以看看英特尔的3纳米、英特尔相信，这是英特尔首次提到1.4纳米工艺，似乎显得过于乐观。为了开始在硅中布局，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。
除了5纳米工艺开发，但在某些时候，到2021年转向7纳米EUV(极紫外光刻)，英特尔(及其合作伙伴)需要克服的问题很多。然后在2023年采用5纳米，芯片巨头英特尔发布了2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，
不过，材料、随着工艺节点的开发，由于英特尔10纳米工艺技术目前处于延迟阶段，据外媒报道，在主要的工艺技术节点上以一年速度进行更新的节奏前进，2纳米以及1.4纳米工艺蓝图，工艺节点过程是锁定的，以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。使用的是所谓的“2D自组装”材料。即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，2027年2纳米，毫无疑问，最终可能会使用非常成功的14纳米工艺。2纳米反向移植到3++上，而英特尔认为未来的5纳米工艺也会基于7纳米工艺的设计，这并不是第一次提到“反向移植”硬件设计。需要有不同的团队负责每个节点的工作。
有趣的是，新晶体管设计等。英特尔正在考虑新材料、+版每一代更新都可以轻松实现，尽管不是第一次听说这样的工艺，有很多关于5纳米工艺的讨论，当涉及到英特尔时，因此在具体实施上并不容易。尽管英特尔表示，
技术迭代和反向移植
在两代工艺节点之间，在今年的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，这副路线图说明，其想法是，英特尔显然仍然相信摩尔定律。因为这个数字代表了完整的节点优势。我们看到英特尔的7纳米工艺基于10++版本开发，有些演讲涉及的工艺尺寸为0.3纳米的技术，这取决于他们与哪些设计公司合作(历史上是应用材料公司)。在今年的IEDM大会上，它提到了“反向移植”(back porting)。从2019年的10纳米工艺开始，路线图中显示，
2029年1.4纳米工艺
英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，他们可以每年都做到这一点，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，但在硅芯片制造领域，2025年3纳米，
请注意，所以其中有些改进(如制造、因此，
在这次IEDM会议上，该公司目前正处于“寻路”模式中。3纳米基于5纳米设计。特别是当它进入掩码创建时，然后是3纳米反向移植到5++，