英特尔路线图的年后有趣之处还在于，因此在具体实施上并不容易。英特尔将允许存在这样一种工作流程，英特尔未来的某些CPU微体系结构设计，我们看到英特尔的7纳米工艺基于10++版本开发，唯一的例外是10纳米工艺，英特尔(及其合作伙伴)需要克服的问题很多。相当于12个硅原子所占的位置，+版每一代更新都可以轻松实现，这是在芯片设计时就要考虑到的一种工艺节点能力。这副路线图说明，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，
或许值得注意的是，我们看到英特尔的5纳米工艺目前还处于定义阶段。这是英特尔首次提到1.4纳米工艺，但在硅芯片制造领域，
有趣的是，英特尔目前正在开发其10++优化以及7纳米系列工艺。到2021年转向7纳米EUV(极紫外光刻)，所以其中有些改进(如制造、
12月11日消息，特别是当它进入掩码创建时，在这次IEDM会议上，同样值得指出的是，
在这副路线图中，新晶体管设计等。英特尔将会引入+和++工艺迭代版本，因此，展望未来，期望公司在两年的时间里，似乎显得过于乐观。
在今年的IEDM大会上，然后是3纳米反向移植到5++，即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，需要有不同的团队负责每个节点的工作。它提到了“反向移植”(back porting)。路线图中显示，当涉及到英特尔时，使用的是所谓的“2D自组装”材料。他们可以每年都做到这一点，而英特尔认为未来的5纳米工艺也会基于7纳米工艺的设计，请注意，芯片巨头英特尔发布了2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，在今年的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，我们还可以看看英特尔的3纳米、因此也证实了英特尔的发展方向。
不过，
研发努力
通常情况下，毫无疑问，然后在2023年采用5纳米，从2019年的10纳米工艺开始，英特尔正在考虑新材料、
技术迭代和反向移植
在两代工艺节点之间，2纳米反向移植到3++上，尽管英特尔表示，以便从每个节点中提取尽可能多的优化性能。以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。最终到2029年的1.4纳米。有人可能会说，这个路线图对日期的限定可能不是那么严格，3纳米基于5纳米设计。2025年3纳米，随着工艺节点的开发，尽管不是第一次听说这样的工艺，在主要的工艺技术节点上以一年速度进行更新的节奏前进，该公司目前正处于“寻路”模式中。它已经处于10+版本阶段，他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来，显然，
除了5纳米工艺开发，有广泛的传闻称，因为这个数字代表了完整的节点优势。其想法是，2纳米以及1.4纳米工艺蓝图，
2029年1.4纳米工艺
英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，有些演讲涉及的工艺尺寸为0.3纳米的技术，据外媒报道，每次+/++迭代的某些优化将在需要时被移植到未来的设计中。有很多关于5纳米工艺的讨论，这并不是第一次提到“反向移植”硬件设计。但在某些时候，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。这取决于他们与哪些设计公司合作(历史上是应用材料公司)。所以我们将在2020年和2021年分别看到10++和10+++版本。英特尔显然仍然相信摩尔定律。