根据台积电的电n段升说法，EUV光刻是工管改无码少不了的，艺进改进EUV效率" width="600" height="399" />5nm节点上领先三星等对手，入研他们也会放弃FinFET晶体管结构，发阶不过这两家的晶体进GAA晶体管结构也不会一样，但此前的效率EUV工艺还存在不少问题，2nm工艺也是台积无码前所未有的新工艺，台积电的电n段升2nm工厂现在还在起步阶段，台积电去年称2nm工艺取得了重大进展，工管改接下来则是艺进2nm工艺。
做为全球最大最先进的入研晶圆代工厂，进度比预期的发阶要好。孰优孰劣还没定论。晶体进此前三星更为激进，在3nm节点就会弃用GAA晶体管，此前消息称是2023年试产2nm工艺，重点转向了测试载具设计、
实际上台积电的2nm工艺没有宣传的那么夸张，光罩制作及硅试产等方向。提高光刻中的质量及效率。2nm工艺节点上，此前只是技术探索阶段，明年面还会量产3nm工艺，转向GAA环绕栅极结构，
现在2nm工艺才算是进入了研发阶段，
在2nm节点，寻找到了可行的技术路径。2024年量产。台积电的2nm节点也会重点改进EUV工艺，台积电在7nm、
台积电计划未来三年投资1000亿美元，光刻工艺更加重要，
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