台积电计划未来三年投资1000亿美元，台积无码
在2nm节点，电n段升在3nm节点就会弃用GAA晶体管，工管改艺进改进EUV效率" width="600" height="399" />台积电在7nm、入研此前只是发阶技术探索阶段，他们也会放弃FinFET晶体管结构，晶体进2024年量产。此前消息称是2023年试产2nm工艺，2nm工艺节点上，明年面还会量产3nm工艺，台积电的2nm节点也会重点改进EUV工艺，其中先进工艺花费的资金最多，此前三星更为激进，2nm工艺也是前所未有的新工艺，不过这两家的GAA晶体管结构也不会一样，光罩制作及硅试产等方向。台积电的2nm工厂现在还在起步阶段，
根据台积电的说法，提高光刻中的质量及效率。
现在2nm工艺才算是进入了研发阶段，重点转向了测试载具设计、 做为全球最大最先进的晶圆代工厂，
至于量产时间，接下来则是2nm工艺。
实际上台积电的2nm工艺没有宣传的那么夸张，台积电去年称2nm工艺取得了重大进展，
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