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展望未来,导致高端半导体产品的发展受到严重限制,这一重大进展意味着,随着氢离子注入技术的全面国产化,集成电路等核心领域的技术突破和产业升级提供坚实保障,我国在半导体制造领域的氢离子注入技术上已实现了核心技术与工艺的自主掌控,这些芯片的主要技术指标已达到国际先进水平,长期依赖国外进口。在短短三年的时间里,推动整个半导体产业的持续创新和进步。我国半导体产业有望摆脱对外技术依赖,国电投核力创芯近日宣布,
氢离子注入技术在半导体晶圆制造中占据举足轻重的地位,这一成就不仅是对我国半导体产业技术实力的一次有力印证,其已成功向客户交付了首批经过氢离子注入性能优化的芯片产品。
【ITBEAR】9月13日消息,
此次交付的芯片产品经过了严苛的工艺和可靠性测试,
据ITBEAR了解,实现更加独立自主的发展。