报道还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司合作，快年开始无码科技
8 月 16 日消息，底前使用 [High-NA EUV 专用工具] 检测半导体掩膜可将对比度提高 30% 以上”。安装这一转变有望提高电路压印在晶片上的首台精度，
三星电子半导体研究所的星被 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上表示：“与传统的 [EUV 专用工具] 相比，主要用于研发目的曝最，开发用于逻辑和 DRAM 的快年开始下一代制造技术。首尔经济日报昨日（8 月 15 日）报道，底前无码科技
有媒体报道，安装三星还与日本 Lasertec 公司合作开发专门用于 High-NA 光掩膜的首台检测设备。
三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的星被生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻设备外，安装首台来自 ASML 的曝最 High-NA EUV 光刻机，并预估 2025 年年中投入使用。快年开始
报道称三星将在其华城园区内安装首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期间，准备在 2027 年之前将高纳 EUV 工具投入商业应用。在光掩膜上从传统的电路设计转向曲线图案。这对进一步完善工艺技术至关重要。
三星还与新思科技（Synopsys）合作，