有媒体报道，快年开始无码科技在光掩膜上从传统的底前电路设计转向曲线图案。安装首台来自 ASML 的安装 High-NA EUV 光刻机，开发用于逻辑和 DRAM 的首台下一代制造技术。并预估 2025 年年中投入使用。星被这一转变有望提高电路压印在晶片上的曝最精度，三星还与日本 Lasertec 公司合作开发专门用于 High-NA 光掩膜的快年开始检测设备。
三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的底前无码科技生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻设备外，
8 月 16 日消息，安装三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期间，首台准备在 2027 年之前将高纳 EUV 工具投入商业应用。星被
三星电子半导体研究所的曝最 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上表示：“与传统的 [EUV 专用工具] 相比，三星已经购买了 Lasertec 的快年开始 High-NA EUV 掩膜检测工具 Actis A300。
报道还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司合作，
三星还与新思科技（Synopsys）合作，
使用 [High-NA EUV 专用工具] 检测半导体掩膜可将对比度提高 30% 以上”。首尔经济日报昨日（8 月 15 日）报道，
报道称三星将在其华城园区内安装首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，