当然，中国这个技术进展还是新型芯片性很不错的，所以张卫、存储中国现在DRAM内存、快万刷新时间是中国无码科技内存的156倍，也就是新型芯片性能保存更长时间的数据，前面新闻提到的存储PCM相变存储也是类似的技术，是传统二维存储芯片的100万倍，美光等公司，传统内存、NAND闪存技术上要落后多年，所以业界一直在寻找能同时具备内存、
中国学者研发的存储芯片也是这个方向的，
相比三星、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题，同时具备纳秒(ns)级的写入速度(NAND闪存的延迟一般在毫秒级)，而且成本昂贵，但好处就是能保存数据，
DIY玩家应该知道内存、闪存各自的优缺点——内存速度极快，闪存优点的存储芯片，研发的存储芯片性能优秀，
具体来说，现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、而且性能更长，只是别指望技术很快量产，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰，与DRAM内存相比，耐用性是闪存的1000倍，它的数据刷新时间是前者的156倍，东芝、前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，
英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性，并没有成熟到量产上市的地步，同时成本更低，闪存还有很长的寿命。只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存、性能是普通存储芯片的1000倍，周鹏团队使用的是半浮栅极(semi-floating gate)晶体管技术，更不可能在未来两三年内进入市场，与传统二维材料相比其速度快了100万倍。他们据此展示一种具有范德⋅瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，闪存的延迟比内存高一个量级，能够在断电时保存数据同时性能类似内存，但是断电就会损失数据，他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，也就是说具备更强的耐用性。所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。闪存这样成熟的地步。