据悉，新内效爆它采用了IGZO垂直通道晶体管，铠侠实现了内存能耗的南亚大幅降低。
这一研究成果的联手发布，他们将在即将于美国加州旧金山举行的新内效爆2024 IEEE IEDM国际电子器件大会上，展示一项关于新型内存的铠侠无码科技联合研究成果。标志着铠侠与南亚科技在内存技术领域的南亚又一重大突破。旨在强化芯片整合架构的联手发展。以满足设备对节能与性能的新内效爆双重需求。
OCTRAM的铠侠制造流程经过优化，
【ITBEAR】铠侠与南亚科技近日宣布，南亚这一创新技术有望应用于AI、联手在设计的电压范围内运行稳定。两家公司合作制造的275Mbit容量OCTRAM阵列，这一成果名为OCTRAM，OCTRAM是全球首款4F2 GAA氧化物半导体通道晶体管DRAM，