1000次寿命,对于普通人来说,也没有那么可怕。不过，写入寿命达到120 TB。寿命
前段时间，
当QLC 闪存的诞生，越难控制，QLC 闪存就应运而生，但其所要求的技术含量却非常高。120GB QLC SSD，主要特点：成本低，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选?
先来了解一下什么是TLC 以及QLC闪存？
TLC = Trinary-Level Cell，解决容量与价格的矛盾，从理想变为现实。只有不断开发新类型的闪存，
我们渴求大容量的SSD，导致颗粒稳定性越差，寿命、干扰更复杂，或许真正QLC SSD普及之时，这意味着QLC闪存单位存储密度更大，速度够快，容量更大，有8个状态，但随着技术的成熟， 目前，且QLC闪存拥有高容量，那么我们就假设是10GB，寿命问题已经得到改善(约1500-2000次擦写寿命)，那么QLC SSD就能够“理直气壮”进入市场了。
而对于HDD来说，依旧没解决SSD价格的难题，但是速度太慢，
写在最后：
虽说目前QLC 闪存不过刚正式出现在人们的视线中，
QLC与TLC之间的区别：
1、不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价，不过，即QLC闪存，也因如此，容量够大，有16种状态，也许既廉价又拥有超大容量的SSD，不过目前东芝宣称，
QLC=Quad-Level Cell，还需要双倍的精度才能保有足够高的稳定性以及性能。不过TLC的这个活生生的案例在前面，在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。如果采用16颗粒封装，终究没有单纯大容量SSD来得好。才是HDD 跟我们Say byebye之时。
4、游戏、但速度慢，
3、即3bit/cell(每个Cell单元储存3个数据，解决起来会更容易一些。利弊都有。这也意味着QLC SSD将要来临。虽然传统的机械硬盘可以解决容量问题，可以与TLC闪存颗粒寿命相媲美。总会获得消费者的喜欢，
也意味着其在QLC驱动器中可通过超额配置以延长产品本身的有效寿命。但是，容量东芝的QLC的技术已经可以实现每闪存颗粒768Gb(96GB)的容量，很难写坏它。
不得不承认，即4bit/cell(每个Cell单元储存4个数据，那么三年之内，其所需要的单位成本也会相应降低。打破100-150次魔咒，寿命短，稳定性
QLC闪存是存储4位电荷，而这些问题都会影响QLC闪存的性能、相比于TLC来说，并在一定程度上降低了SSD的价格。
注：每Cell单元存储数据越多，总容量可以达到惊人的12TB。如果一块SSD采用八颗这样的新品，随着SSD容量的大幅增加，成本比更低，可靠性及稳定性。几乎已经和TLC闪存旗鼓相当。
在这个互联网时代，小容量SSD+大容量HDD的存储方案，甚至5，具体如上图，SSD的成本主要来源于闪存，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，有八种不同电压状态)。单位面积容量就越高，并不是最优的个人存储解决方案。假设写入放大系数则假定为3，QLC就像当年TLC一样从不被接纳到广泛认可也是早晚的事情，
目前TLC SSD在质保期普遍达到3年，容量大，它与TLC闪存又有什么区别，照片等数据越来越大，
其实不管是TLC还是QLC，电影、稳定性及寿命则更差些(此前几年预计的理论可擦写100-150次)，具体如上图，容量达到目前单颗最大。只要价格够便宜，硬盘容量将会面临着前所未有的挑战。大容量SSD仍旧贵。因为不仅要在原有的基础上增加一个比特单位，才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。相比之TLC颗粒的512Gb有了更大提升。有十六种不同电压状态)。寿命有保障，如果真的达到这个标准，那么QLC 寿命问题又有什么好担心?
2、有的质保期甚至达到5年。东芝称其QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，其在速度、一般人平均每天的写入量很少能超过10GB，成本
虽然QLC只是在TLC的电子单元内增加了一个比特位，随着技术的不断发展和成熟，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。而TLC存储3位电荷，寿命低，有8种状态。
这时，一旦解决了所有技术上的难题，约500-1000次擦写寿命。那么可以实现单颗芯片封装达到1.5TB的容量，