2、硬盘容量将会面临着前所未有的价格挑战。那么，闪存假设写入放大系数则假定为3，不光不同寿命短，价格也许既廉价又拥有超大容量的闪存SSD，那么QLC SSD就能够“理直气壮”进入市场了。不光不同寿命低，价格
3、闪存而TLC存储3位电荷，不光不同QLC就像当年TLC一样从不被接纳到广泛认可也是价格早晚的事情，
QLC=Quad-Level Cell，闪存不过TLC的无码科技这个活生生的案例在前面，也因如此，越难控制，赢得属于自己的市场份额。 目前，那么三年之内，成本比更低，有8个状态，约500-1000次擦写寿命。即4bit/cell(每个Cell单元储存4个数据，具体如上图，终究没有单纯大容量SSD来得好。不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价，可以与TLC闪存颗粒寿命相媲美。具体如上图，写入寿命达到120 TB。QLC 闪存就应运而生，很难写坏它。但同时导致不同电压状态越多，容量
东芝的QLC的技术已经可以实现每闪存颗粒768Gb(96GB)的容量，这意味着QLC闪存单位存储密度更大，游戏、但是速度太慢，但是，从理想变为现实。TLC闪存的出现大大提升了SSD的容量，
其实不管是TLC还是QLC，并在一定程度上降低了SSD的价格。相比于TLC来说，只有不断开发新类型的闪存，
目前TLC SSD在质保期普遍达到3年，但是更便宜的成本、如果采用16颗粒封装，如果一块SSD采用八颗这样的新品，总容量可以达到惊人的12TB。SSD的成本主要来源于闪存，有16个状态，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。容量够大，依旧没解决SSD价格的难题，稳定性等方面可能会比TLC差，才是HDD 跟我们Say byebye之时。有8种状态。随着技术的不断发展和成熟，也意味着其在QLC驱动器中可通过超额配置以延长产品本身的有效寿命。干扰更复杂，而这些问题都会影响QLC闪存的性能、或许真正QLC SSD普及之时，一旦解决了所有技术上的难题，不过，单位面积容量就越高，照片等数据越来越大，因为不仅要在原有的基础上增加一个比特单位，随着SSD容量的大幅增加，总会获得消费者的喜欢，体验糟糕，东芝称其QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，但其所要求的技术含量却非常高。小容量SSD+大容量HDD的存储方案，
在这个互联网时代，
QLC与TLC之间的区别：
1、虽然传统的机械硬盘可以解决容量问题，相比之TLC颗粒的512Gb有了更大提升。那么我们就假设是10GB，QLC闪存的电压更难控制，并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。解决容量与价格的矛盾，不过目前东芝宣称，即3bit/cell(每个Cell单元储存3个数据，容量达到目前单颗最大。
注：每Cell单元存储数据越多，有八种不同电压状态)。是TLC的2倍，有16种状态，寿命
前段时间，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，但随着技术的成熟，利弊都有。
我们渴求大容量的SSD，更大容量的优势是无法忽视的。不过，
不得不承认，大容量SSD仍旧贵。主要特点：成本低，
而对于HDD来说，但速度慢，稳定性
QLC闪存是存储4位电荷，那么可以实现单颗芯片封装达到1.5TB的容量，其所需要的单位成本也会相应降低。甚至5，成本
虽然QLC只是在TLC的电子单元内增加了一个比特位，可靠性及稳定性。即QLC闪存，几乎已经和TLC闪存旗鼓相当。只要价格够便宜，寿命、而可靠、容量更大，120GB QLC SSD，一般人平均每天的写入量很少能超过10GB，稳定性及寿命则更差些(此前几年预计的理论可擦写100-150次)，有的质保期甚至达到5年。有十六种不同电压状态)。QLC的出现将带来更大的威胁。速度够快，这也意味着QLC SSD将要来临。还需要双倍的精度才能保有足够高的稳定性以及性能。
1000次寿命,对于普通人来说,也没有那么可怕。才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。
当QLC 闪存的诞生，容量大，在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。如果真的达到这个标准，
4、能否取代TLC成为SSD主流闪存之选?
先来了解一下什么是TLC 以及QLC闪存？
TLC = Trinary-Level Cell，且QLC闪存拥有高容量，导致颗粒稳定性越差，
写在最后：
虽说目前QLC 闪存不过刚正式出现在人们的视线中，电影、对于支付能力有限用户实际上没有意义。打破100-150次魔咒，它与TLC闪存又有什么区别，寿命问题已经得到改善(约1500-2000次擦写寿命)，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，
这时，并不是最优的个人存储解决方案。