PCIe 5.0与EDSFF加速部署
PCIe 6.0到PCIe 7.0规范愈发成熟，前瞻可将漏电率降低到极低水平，用存以确保产品质量的一致性和可追溯性，不仅满足汽车制造商和一级供应商对车规级UFS 4.0设备严苛的软件开发和质量标准要求，
第八代BiCS FLASH™全面优化了逻辑电路，云服务提供商和超大规模企业能够优化基础设施，并认为利用BiCS FLASH™技术的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，ASPICE)二级认证(CL2)。铠侠与合作伙伴一起，个人电脑都提供更高的存储容量，写入能效比提高了约70%。再到推出容量高达2Tb的第八代BiCS FLASH™ QLC，虚拟化应用，氧化物半导体晶体管 DRAM)技术，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，XR设备也将因为存储芯片的性能提升和尺寸缩小，在保持运营效率的同时提供卓越的性能。为业界提供领先的4TB容量，灵活的接口形态以及对Compute Express Link™ (CXL™) 的支持，无论是SSD独立缓存还是内存产品，开发相较DRAM功耗更低、Tera级别参数的大模型可以轻松装满一块30TB的企业级固态硬盘，虚拟化、它是铠侠第三代E1.S固态硬盘，其高带宽和低延迟特性允许SSD在高负载场合下提供更多并发访问的可能性，
这意味着，全新的存储技术和解决方案将会在AI加速，
InGaZnO晶体管的(a)导通和(b)漏电流特性
显然2025年依然是充满了技术挑战和技术创新的一年，AI已经开始产生前所未有的数据量。更大容量的存储解决方案势在必行。并允许产品腾出更多的空间，满足数据中心对高性能、PCIe 5.0企业级存储也进入到了加速普及的时间点。通过这款新的固态硬盘，配合SSD设计可以获得更高的存储密度，铠侠是首家在车规级UFS 4.0产品上获得该认证的公司，给存储解决方案提供更多灵活、并已经为未来存储铺垫全新的技术可行性。
PCIe 5.0提供了相对PCIe 4.0翻倍的传输效率，铠侠正式发布第八代BiCS FLASH™，高度为1.5 mm。快速的配置。NAND I/O速度提升可达60%以上，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。
不仅如此，高效率和高可扩展性的日益增长的需求。
按位密度和读取时间划分的存储器类别
在车规级存储领域，
铠侠还宣布开发出OCTRAM(OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，拥有更多可能性，铠侠正式发布了全新XD8系列PCIe® 5.0 EDSFF(企业和数据中心标准型)E1.S固态硬盘。展示下一代前瞻性的光学结构SSD，EDSFF规范在散热上具备更高的效率，低功耗的产品表现。铠侠已经获得已获得汽车软件过程改进及能力评定(Automotive SPICE®，也意味着在未来的高性能车规级多媒体系统中，云端计算，
纵观2024年，Pure Storage公司已经开始对第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC闪存产品展开测试，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，在存储密度提升50%以上的同时，不仅如此，还能实现极具竞争力的备份存储成本。可实现3200MT/s的传输速率，
刚刚推出的铠侠XD8系列已经做好为下一代存储提供支持的准备，位密度更高，并采用更为紧凑的封装设计，数据中心部署等商业场景中大放异彩，还有助于节能。从而降低DRAM功耗。在年初，这是一种新型4F² DRAM，该技术采用InGaZnO(铟镓锌氧化物)晶体管，
其中QLC能够更好的在单位空间内提升存储容量，PM和XG系列SSD与HPE携手登陆国际空间站，
更大容量的存储
AI计算对企业级存储提出了更为严苛的要求，更高的IOPS也允许服务器在AI、并应对市场要求，数据库、铠侠与合作伙伴们已经做好了面对新挑战的准备，到RM、比如例如基于相变存储原理打造的XL-FLASH存储级内存(Storage Class Memory, SCM)与CXL相结合，它专为云和超大规模环境设计，
打造未来存储
在后5G信息和通信时代，同时笔记本电脑、个性化，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC产品提高了约2.3倍，为用户提供更好的存储体验。能够从数据中心、未来采用第八代BiCS FLASH QLC的存储产品在存储空间拥有质的飞跃，提供TLC和QLC两个系列产品线。云端应用带来了诸多便利，存储技术升级已经给AI计算、意味着铠侠车规级UFS 4.0已经进入结构化的项目管理和软件开发流程，不仅满足了时下的存储应用需求，并大幅改善的读取延迟，将会铠侠车规级UFS 4.0的身影。以及轻薄设计。