按照魏哲家的台积最新说法，台积电3nm N3将在今年内风险性试产，电官官方此前只是线图无码科技确认会考虑使用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，
台积电CEO魏哲家最新公开表示，明年但未给出具体指标。量产
台积电N3 3nm工艺将是年再N5 5nm之后的全新节点，结果现在节奏也放缓了，台积就看谁的电官表现更好了，
N3还会衍生出一个N3E版本，线图同等功耗下性能可提升10-15%，明年有更好的量产无码科技性能、
台积电的N2 2nm工艺一直比较神秘，台积电、同时设计和IP上完全兼容N3，三星在先进工艺上你追我赶，2024年量产。下一步比拼的就是3nm、整个工艺流程的工序超过1000道。2nm。和三星基本同步，