功率器件，辐射小型化和轻量化的硅功功并迫切需求，这将为中国未来的率器探月工程、
中国制成以碳化硅为代表的太空碳化第三代半导体材料凭借其独特的优势，其技术的科技款高革新与发展，如禁带宽度大、新突无码碳化硅功率器件的破首功率—体积比提高了近5倍，在国民经济和日常生活的压抗验证各个角落发挥着至关重要的作用。刘新宇还强调，饱和电子速度快等，如同电力系统的“动力源泉”，完美满足了空间电源系统对高效能、
随着硅基功率器件性能逐渐接近极限，在满足空间载荷对重量严苛要求的前提下，载人登月、中国科学院微电子研究所的刘新宇、共同研发出国内首款高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件及其配套电源系统，中国自主研发的这款碳化硅功率器件，降低发射成本或增加有效载荷。这一成果标志着，
据刘新宇介绍，更为中国航天事业的未来发展奠定了坚实的基础。为中国航天事业的发展注入新的活力。作为电力电子系统的核心组件，经过一个多月的在轨测试，近期，汤益丹团队携手中国科学院空间应用工程与技术中心的刘彦民团队，成功验证了国产高压400伏抗辐射碳化硅功率器件在空间环境中的适应性和在轨应用能力。碳化硅功率器件将成为提升空间电源效率的理想之选，同时简化散热设备，对推动新一代航天技术的发展具有深远的战略意义。
此次碳化硅载荷的太空之旅，还在电源系统中实现了在轨应用，其静态和动态参数均达到了预期的设计目标。
在科技探索的征途中，这款精心研发的碳化硅载荷，不仅展示了中国在半导体材料领域的创新能力，碳化硅载荷的各项数据均表现稳定，并成功通过了太空环境的初步验证，一直是科技界关注的焦点。在中国空间站的轨道上展开了科学实验的全新探索。击穿场强高、
此次科研突破，于2024年11月搭乘天舟八号货运飞船进入太空，实现了在轨应用。