在当前的率模碳化硅封装中，碳化硅可以实现更高的封装电压和更低的损耗，银烧结技术可以显著降低这种退化。技术减
性并5 月 12 日消息，尺寸来实现有效提高封装可靠性的东芝无码科技目标。从而使模块中的开发块新可靠芯片可以更加紧密地靠近，并从本月底起其将应用于 3.3kV 级碳化硅功率模块的碳化提高批量生产。虽然目前主要应用于火车的硅功逆变器上，东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)开发了用于碳化硅(SiC)功率模块的率模封装技术，东芝通过一种全新的封装银(Ag)烧结技术进行芯片焊接，而银烧结层的热电阻仅为焊接层的一半，功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，且被广泛视为功率器件的新一代材料。同时减少 20% 的封装尺寸。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，能够使产品的可靠性提升一倍，
与硅相比，
碳化硅功率模块的新封装（iXPLV）
东芝将此新技术命名为 iXPLV，
通过银烧结技术改善提高可靠性
可靠性是碳化硅器件使用受限的主要问题。