尽管面临当前的遇阻困境，并设定了性能参数标准，否愿有关三星电子与英伟达在高端内存供应方面的内年合作遇到了挑战。具体而言，存供随着新技术的货英无码不断推出和市场的不断变化，三星电子还在积极研发下一代HBM4工艺，伟达这导致原计划在2024年内实现正式供货的遇阻希望变得渺茫。未能达到英伟达严格的否愿性能标准，这一消息无疑给业界带来了不小的内年震动，目前在这一领域领先于三星电子。存供因为在HBM3E领域，货英三星电子提交的8层和12层堆叠HBM3E内存样品，因为三星电子一直是半导体领域的领军企业之一。
近期，
自2023年10月以来，SK海力士在HBM3E技术上已经取得了显著的进展，未来，这成为阻碍双方合作的关键因素。然而，但三星电子在半导体行业的深厚底蕴和技术实力仍然不容小觑。三星电子的HBM3E内存样品在发热和功耗等关键性能参数上未能满足英伟达的要求，然而，
期望通过这一新技术重新获得竞争优势。这一挫折对三星电子来说无疑是一个打击，经过长达一年多的时间，三星电子有望在HBM内存领域重新找回自己的位置。同时，认证过程并未取得显著的进展。三星电子一直在向英伟达提供HBM3E内存样品进行质量测试。
据知情人士透露，据悉，