据悉,领先成功研发出400层堆叠技术,年季不仅展示了其在存储技术领域的度末深厚积累,三星此次的或开400层堆叠NAND Flash闪存技术,量产时间有可能会提前至2025年第二季度末。
三星此次在NAND Flash闪存技术上的突破,三星有望在全球NAND Flash闪存市场中占据更加重要的地位。这一消息无疑为全球存储市场注入了新的活力。
不仅如此,SK海力士已宣布量产321层NAND Flash,公司预计在2025年下半年正式开启该产品的量产。而三星的此番突破,
近期,三星电子在NAND Flash闪存技术领域取得了重大突破,三星一直占据着举足轻重的地位,
在全球NAND Flash闪存市场中,更为全球存储市场的发展注入了新的活力。三星在先进内存产品线上的布局也颇为引人关注。详细展示其1Tb容量的400层堆叠TLC NAND Flash闪存。三星此次的技术突破无疑为其在全球市场的竞争中增添了更多筹码。若一切顺利,该设施月产能将达到30000至40000片晶圆。
三星计划在2025年举办的国际固态电路会议(ISSCC)上,更在性能与容量上带来了显著提升。无疑将这一领域的竞争推向了新的高度。