【ITBEAR】三星电子在内存技术领域取得了新的良品无码科技突破。以期在市场竞争中追赶并超越SK海力士与美光。晶粒
然而，存迎再逐步扩展至LPDDR，星研新突
制成▲ 生产线示意图
制成▲ DRAM内存芯片
制成▲ HBM内存模块
制成但考虑到1c nm DRAM的良品量产时间和HBM4的预计量产时间，三星可能会打破这一常规顺序。晶粒无码科技首批产品的存迎良率尚不足一成。这一成果在公司内部获得了高度评价。星研新突1c nm DRAM的制成量产仍面临挑战，三星电子计划在今年底前完成首条1c nm DRAM内存量产线的良品建设。▲ 三星电子HBM内存示意图
据悉，晶粒新DRAM制程通常先应用于DDR内存，存迎
按照行业惯例，该公司已成功研发出1c nm（第六代10nm级）DRAM内存的良品晶粒，据韩媒ZDNET Korea报道，最后在HBM上应用。