然而，星研新突
【ITBEAR】三星电子在内存技术领域取得了新的制成突破。为推进量产进程，良品无码科技三星电子计划在今年底前完成首条1c nm DRAM内存量产线的晶粒建设。
存迎▲ 生产线示意图
存迎▲ DRAM内存芯片
存迎▲ HBM内存模块
存迎1c nm DRAM的星研新突量产仍面临挑战，以期在市场竞争中追赶并超越SK海力士与美光。制成据韩媒ZDNET Korea报道，良品最后在HBM上应用。晶粒无码科技但考虑到1c nm DRAM的存迎量产时间和HBM4的预计量产时间，按照行业惯例，星研新突再逐步扩展至LPDDR，制成新DRAM制程通常先应用于DDR内存，良品首批产品的晶粒良率尚不足一成。三星可能会打破这一常规顺序。存迎该公司已成功研发出1c nm（第六代10nm级）DRAM内存的良品晶粒，三星下一代HBM内存HBM4预计将基于1c nm DRAM制程，这一成果在公司内部获得了高度评价。
▲ 三星电子HBM内存示意图
据悉，