【ITBEAR】三星电子在内存技术领域取得了新的存迎突破。新DRAM制程通常先应用于DDR内存，星研新突该公司已成功研发出1c nm（第六代10nm级）DRAM内存的制成良品晶粒，以期在市场竞争中追赶并超越SK海力士与美光。良品
▲ 三星电子HBM内存示意图
据悉，晶粒无码科技三星可能会打破这一常规顺序。存迎
星研新突▲ 生产线示意图
星研新突▲ DRAM内存芯片
星研新突▲ HBM内存模块
星研新突这一成果在公司内部获得了高度评价。制成然而，良品最后在HBM上应用。晶粒三星电子计划在今年底前完成首条1c nm DRAM内存量产线的存迎建设。三星下一代HBM内存HBM4预计将基于1c nm DRAM制程，
按照行业惯例，再逐步扩展至LPDDR，首批产品的良率尚不足一成。