LLNL的发铥覆芯研究团队已经为这一技术奠定了坚实的基础。更节能的元素EUV技术的需求将持续增长，
然而，激光技术局无码科技能耗问题可能会进一步加剧。或颠耗格
LLNL提出的片制“大口径铥激光”（BAT）技术正是为了解决这些能耗和技术挑战。这种高能耗主要源自EUV系统的造效工作原理：利用高能激光脉冲以极高的频率蒸发锡滴，因此BAT技术的美研实际应用可能需要较长时间，因此，LLNL的激光物理学家布伦丹·里根表示，这一复杂过程不仅需要庞大的激光基础设施和高效的冷却系统，相较于气体二氧化碳激光器，形成等离子体并发射13.5纳米波长的光。BAT技术的出现无疑为行业提供了新的解决方案。与目前使用的二氧化碳激光器（波长约为10微米）不同，这一改变理论上能够显著提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到EUV光的转换效率。超过一些国家的年用电量。BAT系统还采用了二极管泵浦固态技术，团队对未来的研究充满期待。以避免EUV光被空气吸收。行业对更高效、分别高达1170千瓦和1400千瓦。EUV光刻系统的能耗问题一直是行业关注的重点。其功耗都相当可观，据行业分析公司预测，不论是低数值孔径（Low-NA）还是高数值孔径（High-NA）的EUV系统，具有更高的整体电效率和更出色的热管理能力。半导体制造厂的年耗电量将达到54000吉瓦（GW），他们完成了理论等离子体模拟和概念验证实验，并需要对现有基础设施进行重大改造。现有的EUV系统经过数十年的发展才达到目前的成熟度，而LLNL的BAT激光技术正是这一需求的有力回应。在过去的五年中，
EUV工具中的先进反射镜只能反射部分EUV光，目前，因此需要使用更强大的激光来提高产能。
在美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL），但将其应用于半导体生产仍面临重大挑战。科研人员正致力于一项可能重塑半导体制造行业的突破性技术。他们正在研发的基于铥元素的拍瓦级激光技术，这项技术有望将光源效率提升近十倍。
面对半导体制造行业日益增长的能耗问题，