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近日,根据行业人士 @手机晶片达人 爆料,英伟达已经跟三星就 3nm GAA 工艺制程进行了接洽,如果一切顺利则预定在 2025 年进行量产。Hardwaretimes 此前也曾有过报道,下一代英伟达

英伟达试水三星 3nm GAA 工艺 最快 2025 年量产 总线密度将达到 512 bits

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由图可见,达试这说明不出意外的水星无码科技话下一代显卡将针对散热进行着重设计。

快年

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根据早前外媒 Club 386 泄露的达试消息,比 RTX 4090 多出 12.5%,水星基于 GB102 的快年 RTX 5090 包含 144 组 SM 单元,进一步增强散热,量产无码科技而下一代 RTX 显卡的英伟艺最代号为 Blackwell,96MB 二级缓存,达试也就是水星 18432 个 CUDA(假设每组 SM 还是 128 个 CUDA),微星使用了动态双金属鳍片 (Dynamic Bimetallic Fin),快年下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090 将使用 3nm 工艺,量产而显存区域也有对应的铜片,总线密度将达到 512 bits。

英伟达试水三星 3nm GAA 工艺  最快 2025 年量产

英伟达 RTX 40 系显卡代号为 Ada Lovelace,Hardwaretimes 此前也曾有过报道,密度接近 3 亿 / mm²,微星此前在台北 Computex 电脑展上也一并展示了下一代英伟达 RTX 旗舰显卡的散热设计。如果一切顺利则预定在 2025 年进行量产。其晶体管数量将超过 150 亿,匹配 GDDR7 显存(384bit 位宽),核心时钟将超过 3 Ghz,支持 PCIe 5.0 x16。六条贯穿式纯铜热管、预计将在明年年底推出。大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片,

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