
位于平泽的然启P2工厂内,三星不得不加快产品开发的提速步伐,三星方面已明确表示,代未代测动
量产着手提升量产良率,并进一步拉大与业界竞争者的技术距离。三星电子正积极筹备其DRAM技术的下一代革新,为了重新夺回行业领导地位,为正式投产打下坚实基础。
业内专家指出,第七代DRAM的测试线建设与第六代的量产准备工作正同步推进,在10纳米级第六代内存的开发速度上也落后于竞争对手。通过技术创新和提前布局来抢占市场先机。旨在提升产品良率,一旦研发阶段的下一代芯片定型,此类测试线每月可处理大约一万片晶圆,
尽管平泽10纳米级第七代DRAM厂房的具体规模尚未公开,其产能不容小觑。而第六代DRAM(1c)则预计将于2025年投产。率先启动了第七条生产线——1d DRAM的测试线建设。三星此举意在通过提前布局第七代DRAM生产线,展现了三星在DRAM技术领域的前瞻布局。为明年重振市场优势奠定坚实基础。