ASML的货助光刻系统一直以来都备受业界关注，EXE:5200在设计和性能上都进行了优化，力后ASML的第代0.33 (Low) NA EUV光刻机也取得了显著进展。用于技术成熟度验证。光工艺
EXE:5200是刻机ASML对现有初代High NA EUV光刻机EXE:5000的改进版本。而EXE:5000作为High NA EUV光刻技术的货助先驱，EXE:5200预计将拥有更高的力后无码晶圆吞吐量，这一提升主要得益于NXE:3800E在结构上的第代改进和优化。Christophe Fouquet表示，光工艺更比前一代NXE:3600D高出37.5%。刻机
除了EXE:5200，货助Christophe Fouquet透露，力后使其更适合大批量生产。最新型号NXE:3800E已在工厂实现了每小时220片的设计晶圆吞吐量。其生产效率将进一步提升。这对于满足未来半导体市场的需求具有重要意义。相比EXE:5000的每小时185片以上，
其首席执行官Christophe Fouquet在2024年第四季度财报电话会议上透露了一个重要消息：首台第二代0.55 (High) NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200即将以“早期工具”的身份发货，此次EXE:5200和NXE:3800E的发布，
据悉，主要用于技术的开发和验证。其技术的不断迭代和升级也推动了半导体行业的发展。EXE:5200还支持更为精细的后2nm逻辑半导体工艺，
ASML公司近日宣布，这一数字不仅比NXE:3800E初期的185片有所提升，