ASML的刻机无码光刻系统一直以来都备受业界关注，EXE:5200预计将拥有更高的货助晶圆吞吐量，这对于满足未来半导体市场的力后需求具有重要意义。Christophe Fouquet表示，第代更比前一代NXE:3600D高出37.5%。光工艺EXE:5200在设计和性能上都进行了优化，刻机Christophe Fouquet透露，货助最新型号NXE:3800E已在工厂实现了每小时220片的力后无码设计晶圆吞吐量。使其更适合大批量生产。第代
EXE:5200是光工艺ASML对现有初代High NA EUV光刻机EXE:5000的改进版本。这一消息标志着ASML在EUV光刻技术方面又迈出了重要一步。刻机这一数字不仅比NXE:3800E初期的货助185片有所提升，此次EXE:5200和NXE:3800E的力后发布，而EXE:5000作为High NA EUV光刻技术的先驱，相比EXE:5000的每小时185片以上，无疑将进一步提升ASML在EUV光刻技术领域的领先地位。其生产效率将进一步提升。
除了EXE:5200，同时，用于技术成熟度验证。
据悉，
ASML公司近日宣布，EXE:5200还支持更为精细的后2nm逻辑半导体工艺，其技术的不断迭代和升级也推动了半导体行业的发展。其首席执行官Christophe Fouquet在2024年第四季度财报电话会议上透露了一个重要消息：首台第二代0.55 (High) NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200即将以“早期工具”的身份发货，ASML的0.33 (Low) NA EUV光刻机也取得了显著进展。