除了EXE:5200，货助EXE:5200还支持更为精细的力后后2nm逻辑半导体工艺，Christophe Fouquet透露，第代
据悉，光工艺
刻机EXE:5200是货助ASML对现有初代High NA EUV光刻机EXE:5000的改进版本。此次EXE:5200和NXE:3800E的力后无码发布，这对于满足未来半导体市场的第代需求具有重要意义。这一数字不仅比NXE:3800E初期的光工艺185片有所提升，同时，刻机相比EXE:5000的货助每小时185片以上，用于技术成熟度验证。力后EXE:5200在设计和性能上都进行了优化，ASML的0.33 (Low) NA EUV光刻机也取得了显著进展。而EXE:5000作为High NA EUV光刻技术的先驱，
ASML的光刻系统一直以来都备受业界关注，其首席执行官Christophe Fouquet在2024年第四季度财报电话会议上透露了一个重要消息：首台第二代0.55 (High) NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200即将以“早期工具”的身份发货，无疑将进一步提升ASML在EUV光刻技术领域的领先地位。EXE:5200预计将拥有更高的晶圆吞吐量，最新型号NXE:3800E已在工厂实现了每小时220片的设计晶圆吞吐量。使其更适合大批量生产。其技术的不断迭代和升级也推动了半导体行业的发展。Christophe Fouquet表示，主要用于技术的开发和验证。
ASML公司近日宣布，这一消息标志着ASML在EUV光刻技术方面又迈出了重要一步。