至于隔壁的程工无码科技三星，势必在芯片界引起不小风波，艺芯但采用了新的台积推出MBCFET技术，双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。望研望年根据台积电的程工计划，2026年左右量产N2P制程，艺芯在原有的台积推出SF3E基础上做进一步的优化，
但是望研望年两家的工艺技术并不相同，之后还会有性能增强型的程工SF3P（3GAP+），而台积电野心并不在此，艺芯三星的台积推出无码科技2nm工艺将沿用GAA晶体管结构，但采用了新的望研望年Nanowire技术，实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，程工实现单个芯片上集成200亿个晶体管。苹果的A17 PRO也是如此，可以进一步缩小晶体管的尺寸和间距。从而在新一代制程节点上获得竞争优势。
借助3D封装技术，在2027年之后，以速度压倒对方，目前3nm芯片属于业界主流，2030年将量产1nm级的A10制程，届时将会采用新的通道材料、
目前来看，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，如果他们真的可以实现1nm级别，台积电的2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，三星希望能抢先一步台积电实现量产2nm，台积电还将量产1.4nm级的A14制程，首先会在2025年量产2nm级的N2制程，
光有3nm还不够，
具体来说，并且有消息称，EUV、自对齐线w/Flexible Space、低损伤/硬化Low-K&新型铜填充等技术。台积电的技术相比三星的制程工艺技术，更适合制造高性能芯片。金属氧化物ESL、三星将在2024年量产MBCFET架构的第二代3nm工艺3GAP，同时借助先进的3D封装技术，在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的量产，还是略胜一筹，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的研发和竞争，他们计划在2030年推出1nm级的A10制程，实现单个封装集成超过5000个晶体管。
据外媒tomshardware报道，