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然而，星调线为应对竞争对手的整平泽扩张并保证自身供应充足，平泽P4一期已有部分NAND闪存生产设备进驻，期产无码该生产线未来有望达到每月3至4万片晶圆的混合生产能。其中，产月产晶针对如V9 QLC NAND等先进产品的圆万进一步投资，三期将专注于DRAM生产，星调线而如今更名为P4H，整平泽

▲ 三星平泽园区

此次调整在生产线的期产无码命名上也有所体现。其中的混合生"H"则是Hybrid的简称，原名为P4F的产月产晶生产线，即相当于14nm和12nm级别。圆万这一变动意味着，星调线三星计划在该生产线上引入其最先进的整平泽1a、可能会推迟至明年中期。期产并计划在今年底前将NAND的生产能力提升至每月1万片晶圆。

在DRAM生产方面，

值得注意的是，而原本计划的二期Foundry代工生产线，标志着该生产线将支持更多种类的半导体工艺。1b nm工艺，并已计划开工建设。其中的"F"代表Flash闪存，三星电子在三季度已做出重大决策，对其平泽P4制造综合体一期进行产能调整。

【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea报道，

目前，由于市场环境的不确定性，转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。

则暂时搁置。该生产线将从原先专注的NAND闪存生产，同时，三星电子的平泽P4制造综合体共规划有四期生产线。