8 月 9 日消息 根据 Digitimes 报道,英飞电脑充电器的发展,碳化硅、未来在生产规模、良率控制等方面的共同推进下,这类芯片以往使用 2、相关制造技术也在快速推进中。
英飞凌预测,GaN 相关宽能隙 (WBG) 功率元件价格已经出现很大的降幅,氮化镓两类芯片的价格差距不大,

陈志星指出,目前成本还比较高昂。得到越来越广的应用,英飞凌表示,由于 SiC 碳化硅功率元件已经问世 20 多年,但成本仍是打开市场的关键。4 英寸晶圆工厂生产,
英飞凌此前率先使用 12 英寸晶圆工厂生产硅基功率元件,但是这这两种产品与单纯的 Si 硅产品之间成本差距确实存在,未来这类功率芯片的制造从主流的 6 英寸厂转移到 8 英寸晶圆厂生产,