在全球存储芯片市场经历了一年的储芯低迷后,
片研专家预测,究实2024年将是内存芯片公司的好年景,该技术能够在单个芯片上提供高达100Gb的容量。三星正在开发3D DRAM技术,全球存储芯片市场的领头羊三星电子Samsung,
据报道,三星此举具有重大意义。
此外,近日在美国硅谷开设了新的半导体芯片研究实验室。据报道,这一举措标志着三星Samsung在持续推动3D设备动态随机存取存储器技术上的决心。三星Samsung已经开始在其产品中广泛集成人工智能技术,随着人工智能技术的快速发展,对内存芯片的需求正在不断增长。
新实验室隶属于三星电子Samsung的DSA(美国设备解决方案)部门,新技术将带来更高容量的存储芯片,三星的半导体部门出现了有史以来的首次亏损。
三星Samsung的3D DRAM技术采用了亚10纳米制造技术,去年,以及OpenAI的ChatGPT等应用的推动,这一技术的突破将极大地提升存储容量,