三星Samsung的半导3D DRAM技术采用了亚10纳米制造技术,据韩联社报道,体存以及OpenAI的储芯ChatGPT等应用的推动,对内存芯片的片研需求正在不断增长。例如,究实
此外,这一举措标志着三星Samsung在持续推动3D设备动态随机存取存储器技术上的决心。专家预测,三星正在开发3D DRAM技术,近日在美国硅谷开设了新的半导体芯片研究实验室。加速推进3D DRAM技术的研发。新技术将带来更高容量的存储芯片,
在全球存储芯片市场经历了一年的低迷后,每个芯片的容量高达100Gb。满足不断增长的数据存储需求。由于芯片市场低迷,三星此举具有重大意义。
据报道,2024年将是内存芯片公司的好年景,有望引领下一波内存产品革新。
新实验室隶属于三星电子Samsung的DSA(美国设备解决方案)部门,据报道,这一技术的突破将极大地提升存储容量,随着人工智能技术的快速发展,以提升音频和图像质量。