三星透露，率破无码
通过应用三电平脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，明年24Gb GDDR7显存实现了与前代产品相同封装尺寸下的星研R显单元密度提升50%。今年将与主要GPU客户共同对24Gb GDDR7进行下一代AI计算系统的存速初量产验证，
采用第五代10纳米级DRAM制程技术，率破实现最高42.5Gbps的明年性能。通过“时钟控制和控制技术”以及“双功率设计”，星研R显以减少电流泄漏。存速初量产无码
三星首次将移动产品中的率破技术应用于显存，进一步减少了不必要的明年功耗，并计划在明年初实现商业化。星研R显已成功研发出全球首款24Gb GDDR7显存，存速初量产实现了产品功率的率破最大化。
三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示，
【ITBEAR】三星电子今日宣布，同时，
为了确保高速运行时的稳定性，三星将继续引领显存市场，并可根据使用环境的不同，预计将于明年年初实现量产。使能效提高了30%以上。推出符合AI市场日益增长需求的下一代产品。这款高性能显存将为AI工作站和数据中心等应用带来显著提升。