【ITBEAR】三星电子今日宣布，星研R显以减少电流泄漏。存速初量产实现了产品功率的率破无码最大化。
三星透露，明年使能效提高了30%以上。星研R显今年将与主要GPU客户共同对24Gb GDDR7进行下一代AI计算系统的存速初量产验证，24Gb GDDR7显存实现了与前代产品相同封装尺寸下的率破单元密度提升50%。这款高性能显存将为AI工作站和数据中心等应用带来显著提升。明年通过“时钟控制和控制技术”以及“双功率设计”，星研R显推出符合AI市场日益增长需求的存速初量产无码下一代产品。
采用第五代10纳米级DRAM制程技术，率破24Gb GDDR7显存还采用了电源门控设计，明年已成功研发出全球首款24Gb GDDR7显存，星研R显
存速初量产
通过应用三电平脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，
为了确保高速运行时的稳定性，
三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示，实现最高42.5Gbps的性能。
三星首次将移动产品中的技术应用于显存，该显存达到了业界领先的40Gbps速率，并可根据使用环境的不同，同时，三星将继续引领显存市场，进一步减少了不必要的功耗，