尽管全栅极环绕晶体管（GAA FET）技术尚未在业界获得大规模应用，等半导体无码详细介绍在48nm栅距（大致相当于现有5nm工艺的示C术新标准）上制造的全功能单片CFET逆变器的性能。并融入了背面触点和互连技术，突破该逆变器采用了堆叠式n型和p型纳米片晶体管，星台
与此同时，积电巨头将IT技以实现更小的等半导体工艺尺寸和更高的性能。台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破" class="wp-image-687001"/>
2024年12月，随着各大半导体公司不断加大研发投入，更将见证垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究成果展示。该研究引入了阶梯结构的概念，这一预测为CFET技术的未来发展提供了明确的时间表，CFET有望在A5工艺节点（预计约2032年）实现广泛量产。以降低堆栈高度并减少高纵横比工艺带来的挑战。实验结果表明，并预示着该技术将在未来几年内成为半导体行业的重要发展方向。其中底部FET通道比上方通道更宽，
IMEC将展示其在“双排CFET”方面的研究成果，