2024年12月,
尽管全栅极环绕晶体管(GAA FET)技术尚未在业界获得大规模应用,已经引起了广泛关注。他们提出了一种“单片堆叠FET”,其核心在于在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管,此外,
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