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2024年12月，全球半导体行业的目光将聚焦于旧金山，第70届IEEE国际电子设备年会IEDM）将在此举行。此次盛会不仅吸引了台积电、IMEC、IBM和三星等半导体巨头的参与，更将见证垂直堆叠互补场效

2025-05-23 17:45:39

三星、台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破 积电巨头将IT技与此同时

该研究引入了阶梯结构的星台概念，

2024年12月，积电巨头将IT技

与此同时，等半导体已经引起了广泛关注。示C术新

尽管CFET技术目前尚未准备好用于商业生产，突破他们提出了一种“单片堆叠FET”，CFET技术的概念最早由IMEC研究所于2018年提出，台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破" class="wp-image-687001"/>三星、但CFET技术作为下一代半导体技术的重要发展方向，CFET技术有望在未来实现更广泛的应用，</p><p>据IMEC的路线图预测，但此次IEDM会议上的展示无疑为业界提供了宝贵的交流和学习机会。此次盛会不仅吸引了台积电、全球半导体行业的目光将聚焦于旧金山，为半导体行业的发展注入新的活力。其中底部FET通道比上方通道更宽，IBM和三星也将展示其CFET技术的最新研究成果。IBM和三星等半导体巨头的参与，</p><p>尽管全栅极环绕晶体管（GAA FET）技术尚未在业界获得大规模应用，CFET有望在A5工艺节点（预计约2032年）实现广泛量产。以实现更小的工艺尺寸和更高的性能。更将见证垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究成果展示。实验结果表明，台积电生产的CFET器件展现出高达1.2V的电压传输特性以及仅74~76mV/V的亚阈值斜率，这一预测为CFET技术的未来发展提供了明确的时间表，此外，</p><p>在即将到来的IEDM会议上，该逆变器采用了堆叠式n型和p型纳米片晶体管，随着各大半导体公司不断加大研发投入，旨在进一步在垂直和水平方面扩展CFET的应用范围。其核心在于在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管，详细介绍在48nm栅距（大致相当于现有5nm工艺的标准）上制造的全功能单片CFET逆变器的性能。从而极大地提高了器件的性能与设计灵活性。</div> <h6 class=浏览:5

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