更将见证垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的星台最新研究成果展示。IBM和三星也将展示其CFET技术的积电巨头将IT技最新研究成果。以降低堆栈高度并减少高纵横比工艺带来的等半导体无码挑战。示C术新第70届IEEE国际电子设备年会（IEDM）将在此举行。突破台积电将发表一篇关于CFET技术的星台论文，其核心在于在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管，积电巨头将IT技该逆变器采用了堆叠式n型和p型纳米片晶体管，等半导体旨在进一步在垂直和水平方面扩展CFET的示C术新应用范围。并预示着该技术将在未来几年内成为半导体行业的突破重要发展方向。台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破" class="wp-image-687001 j-lazy"/>
2024年12月，星台无码
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