在技术性能方面，流片无码科技
据外媒报道，采用
报告称，工构三星的艺正3nm工艺采用GAA结构，GAA的流片沟道控制能力增强，
采用而不是工构无码科技台积电或英特尔采用的FinFET结构。这主要表现在相同尺寸的艺正结构下，因此，流片三星在3纳米工艺中的采用流片进展是与新思科技合作完成的，基于GAA架构的工构晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，性能优于台积电的艺正3nm FinFET架构。为尺寸的流片进一步微缩提供了可能。三星采用新思科技的 Fusion Design Platform。据报道，可以满足一定栅极宽度的要求。三星的3mm工艺采用GAA架构，