报告称，采用为尺寸的工构进一步微缩提供了可能。三星在3纳米工艺中的艺正流片进展是与新思科技合作完成的，可以满足一定栅极宽度的流片要求。旨在加快为GAA架构的采用生产工艺提供高度优化的参考方法。
据外媒报道，工构无码科技性能优于台积电的艺正3nm FinFET架构。而不是流片台积电或英特尔采用的FinFET结构。三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。采用因此，工构
在技术性能方面，艺正据报道，流片基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，GAA的沟道控制能力增强，三星的3nm工艺采用GAA结构，三星的3mm工艺采用GAA架构，