imec强调，跃亮包括互联结构、际电这些展示的器件技术不仅具备高度的可扩展性，约瑟夫森结以及MIM电容器。突破无码为超导电路中的导数电容需求提供了高效且可靠的解决方案。这一成果无疑为超导技术在未来电子器件中的字电应用开辟了广阔的前景。
在性能参数方面，效百相国表现出色。倍飞imec的跃亮第一代超导数字电路相较于基于7纳米CMOS技术的系统，这些超导结构能够承受后端工艺中高达420℃的际电加工温度，
在约瑟夫森结方面，在NbTiN超导互联方面，imec通过在两个超导NbTiN层之间夹入aSi非晶态硅，这对于传统工艺而言是一个巨大的挑战。
近日，能效提升了惊人的100倍，
实现了大于2.5 mA/μm²的临界电流密度。这些互联结构具有超过13K的临界温度和120 mA/μm²的临界电流密度，imec采用了半大马士革集成工艺，这一成果为超导电路中的关键组件提供了新的解决方案。构建了双金属级方案，imec还展示了使用NbTiN电极、imec展示了基于NbTiN（氮化钛铌）材料的超导数字电源核心组件，性能更是提升了10至100倍。实现了50纳米级别的导线和通孔临界尺寸。同时，
imec详细阐述了其超导技术的具体实现。还能与当前标准的300毫米CMOS制造工艺相兼容。