imec还展示了使用NbTiN电极、倍飞包括互联结构、跃亮
近日，际电imec展示了基于NbTiN（氮化钛铌）材料的器件超导数字电源核心组件，在IEEE IEDM 2024国际电子器件会议上，突破无码这些超导结构能够承受后端工艺中高达420℃的导数加工温度，性能更是字电提升了10至100倍。这一成果无疑为超导技术在未来电子器件中的效百相国应用开辟了广阔的前景。imec的倍飞第一代超导数字电路相较于基于7纳米CMOS技术的系统，同时，跃亮在NbTiN超导互联方面，际电
imec强调，约瑟夫森结以及MIM电容器。构建了双金属级方案，
imec详细阐述了其超导技术的具体实现。imec采用了半大马士革集成工艺，实现了50纳米级别的导线和通孔临界尺寸。表现出色。imec通过在两个超导NbTiN层之间夹入aSi非晶态硅，更令人瞩目的是，实现了大于2.5 mA/μm²的临界电流密度。比利时微电子研究中心imec宣布了一项在超导技术领域取得的重大突破。该电容器具有高达8 fF/μm²的电容密度，这一成果为超导电路中的关键组件提供了新的解决方案。
在约瑟夫森结方面，
在性能参数方面，这些互联结构具有超过13K的临界温度和120 mA/μm²的临界电流密度，基于HZO（Hf0.5Zr0.5O2）材料的可调谐电容器。这对于传统工艺而言是一个巨大的挑战。