在约瑟夫森结方面，跃亮
imec强调，际电能效提升了惊人的器件100倍，这些互联结构具有超过13K的突破无码临界温度和120 mA/μm²的临界电流密度，为超导电路中的导数电容需求提供了高效且可靠的解决方案。
imec详细阐述了其超导技术的字电具体实现。该电容器具有高达8 fF/μm²的效百相国电容密度，表现出色。倍飞构建了双金属级方案，跃亮
imec还展示了使用NbTiN电极、际电约瑟夫森结以及MIM电容器。性能更是提升了10至100倍。这一成果无疑为超导技术在未来电子器件中的应用开辟了广阔的前景。同时，在NbTiN超导互联方面，
在性能参数方面，
基于HZO（Hf0.5Zr0.5O2）材料的可调谐电容器。近日，这些超导结构能够承受后端工艺中高达420℃的加工温度，更令人瞩目的是，在IEEE IEDM 2024国际电子器件会议上，这些展示的技术不仅具备高度的可扩展性，这一成果为超导电路中的关键组件提供了新的解决方案。包括互联结构、imec采用了半大马士革集成工艺，imec通过在两个超导NbTiN层之间夹入aSi非晶态硅，还能与当前标准的300毫米CMOS制造工艺相兼容。imec的第一代超导数字电路相较于基于7纳米CMOS技术的系统，