三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的内存性能，三星的模块无码 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。提供高达 7.2 Gbps 的容量带宽，8 层 TSV 模块将提供更好的两倍散热。这意味着理论上，星正预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，内存数据中心市场的模块产品将更快推出，
通过优化封装，容量是两倍无码 DDR4 内存容量的两倍。计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。星正三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的内存 DDR5 内存模块，重要的模块是，以及高达 512GB 的容量双倍容量。
三星表示，两倍
8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，提高电源效率。由于管芯之间的间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，512GB 内存模块是可能实现的。同时，高度的降低成为可能。新模块将具有更低的 1.1V 电压，