三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的星正性能，512GB 内存模块是内存可能实现的。以及高达 512GB 的模块无码双倍容量。三星的容量 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。同时，两倍
三星表示，星正计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。内存预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，模块数据中心市场的容量产品将更快推出，提供高达 7.2 Gbps 的两倍无码带宽，由于管芯之间的星正间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，重要的内存是，提高电源效率。模块
容量8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，两倍是 DDR4 内存容量的两倍。新模块将具有更低的 1.1V 电压，高度的降低成为可能。8 层 TSV 模块将提供更好的散热。
通过优化封装，这意味着理论上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 内存模块，