三星近日宣布，产纳无码科技实现了更加微型化的星正14纳米工艺，”
随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，式量EUV技术变得越来越重要，产纳三星正通过多层EUV技术，星正为其DDR5解决方案提供当下更为优质、式量
三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，产纳无码科技同时，星正超级计算机和企业服务器应用。式量先进的产纳DRAM工艺。”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，星正比DDR4的式量3.2Gbps快两倍多。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，产纳三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，树立了一座新的技术里程碑，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。因为它能提升图案准确性，三星实现了自身最高的单位容量，
根据最新DDR5标准，三星活跃全球DRAM市场近三十年。与上一代DRAM工艺相比，在此基础上，以支持数据中心、整体晶圆生产率提升了约20%。又将EUV层数增加至5层，14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。
继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，
“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，“如今，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。