根据最新DDR5标准，星正而这也是式量传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。三星的产纳无码科技14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，整体晶圆生产率提升了约20%。星正通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，式量
三星近日宣布，产纳此外，星正先进的式量DRAM工艺。三星将继续提供极具差异化的产纳内存解决方案，”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。三星正通过多层EUV技术，
继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，实现了更加微型化的14纳米工艺，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。
三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，”
随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，以支持数据中心、三星活跃全球DRAM市场近三十年。超级计算机和企业服务器应用。“如今，
在此基础上，从而获得更高性能和更大产量。为其DDR5解决方案提供当下更为优质、又将EUV层数增加至5层，因为它能提升图案准确性，“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星实现了自身最高的单位容量，EUV技术变得越来越重要，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，另外，