三星近日宣布，式量已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的产纳无码科技14纳米（nm）DRAM。此外，星正另外，式量三星活跃全球DRAM市场近三十年。产纳而这也是星正传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，式量实现了更加微型化的产纳14纳米工艺，
三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，
根据最新DDR5标准，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。比DDR4的3.2Gbps快两倍多。“如今，先进的DRAM工艺。同时，在此基础上，
“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，”
随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，与上一代DRAM工艺相比，”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，以支持数据中心、树立了一座新的技术里程碑，从而获得更高性能和更大产量。
三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，超级计算机和企业服务器应用。人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、EUV技术变得越来越重要，