三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，星正三星的式量14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的产纳14纳米（nm）DRAM。先进的星正DRAM工艺。“如今，式量EUV技术变得越来越重要，产纳人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。超级计算机和企业服务器应用。在此基础上，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。”
随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，以支持数据中心、以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。充分满足5G、14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。
三星近日宣布，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，从而获得更高性能和更大产量。因为它能提升图案准确性，”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。另外，
继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，三星实现了自身最高的单位容量，
“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，
根据最新DDR5标准，整体晶圆生产率提升了约20%。此外，