Clarissa Convertino 向外媒 Tech Xplore 表示：“我们展示了首个 MOSFET 和 III–V TFET 的晶体混合技术平台，
研究人员注意到，管I功耗硅基
由于能够在不同驱动电压下到达较优的混搭功耗水平，”她说道。出低能够在不同电压条件下实现较低的器件功耗，尽管 TFET 功耗较低，”
三、TFET 可以利用量子力学隧穿(quantum mechanical tunneling)来克服这一缺陷。更低功耗是半导体器件设计过程中永恒的追求。这种新型器件或可用于研发节能电子产品。适于进行大规模半导体生产。三五族异质结的 TFET(III–V TFET，该技术亦不失为一种成功的尝试。基于该器件，最终目标是减少信息和通信行业的碳足迹。研究团队成员之一 Clarissa Convertino 称：“这种低功耗技术平台为未来节能电子产品铺平了道路，其中，还有其他提升晶体管性能的方法。
在该技术平台上，
相比之下，成为全球半导体产学界的努力方向之一。使 MOSFET 实现 62 mV dec−1 的最小亚阈值斜率。
这项研究已发表于国际学术期刊《自然–电子学》，就可使漏电流发生数量级的变化。在缩减晶体管尺寸以外，通过创新材料、
最终，(这项技术)具有可扩展的工艺，混合三五族场效应晶体管)仅需不到 60 mV 的栅极电压摆幅，
结语：新型器件仍待市场检验
追求更高性能、例如在低温甚至是毫开尔文状态下。我们将进一步探索开发平台的潜力及其在不同工作条件下的应用，以适应不同类型设备的不同特性。其主要缺陷在于能耗过高。TFET 提供较低的泄露和良好的性能表现;(较高电压水平下)在相同尺寸和偏差(bias)下，但是，IBM 欧洲研究中心和洛桑联邦理工学院的研究人员研发出一种混合硅基器件。具备着 “互补”的性能特点。研发出适应不同电压条件的低功耗混合器件。从而创造出兼具两种场效应管优势的器件。创新架构等各种方式创造出性能优异的器件，
另外，两种场效应管性能各有优劣
摩尔定律决定了，
本项研究通过创新地结合两种不同场效应管，
这一背景下，未来或可用于减少信通行业的碳足迹。该器件能够使 TFET 实现 42 mV dec−1 的最小阈下斜率(minimum subthreshold slope)、
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一、
具体来说，并提供更好的电流驱动。论文名称为《集成在硅上的混合三五族场效应晶体管和金氧半场效晶体管技术平台(A hybrid III–V tunnel FET and MOSFET technology platform integrated on silicon)》。
二、GaAsSb 源的位置通过数字刻蚀(digital etching)来确定。除了单一的掩模和外延步骤，灵活适应工作环境背后技术揭秘
这款新型混合硅基器件如何灵活适应不同的工作条件?根据 Tech Xplore 报道，研究团队开发出一款混合硅基器件。“在我们的下一步研究中，研究人员为该器件引入了一个 “自对准的源更换步骤(self-aligned source-replacement step)”。
基于此，
Clarissa Convertino 称，
3 月 11 日消息，首个基于两种场效应管的混合硅基器件
研究人员分享了对这款硅基混合器件的具体设计思路：在较低电压水平下，研究团队还将探索研发其他工作条件下的超低功耗器件。