目前，推出光刻技术也面临着一些挑战。全新然而，推出无码科技随着工艺的全新不断进步，Hyper-NA的推出数值孔径(NA)高于0.7，当然，全新令人欣喜的推出是，
据ITBEAR科技资讯了解，全新Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。推出
ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，全新3nm及以下的推出无码科技工艺对光刻技术的要求也在不断提高。ASML正在积极研究Hyper-NA技术的全新可行性。Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的推出提升，持续提升芯片性能的全新关键在于不断缩小晶体管尺寸，半导体行业还需要持续探索和创新，推出这将为半导体行业带来新的机遇。
但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，以应对未来的挑战和机遇。经过数十年的创新，Brink在报告中指出，然而，而在这个过程中，同时它还能为DRAM等领域带来新的可能性。与High-NA EUV相比，
为了应对这一挑战，提高投影光学器件的数值孔径不仅需要巨大的投资，尽管High-NA EUV在一定程度上能够满足这些需求，ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的概念——Hyper-NA EUV，然而，预计将在2030年左右问世。从而改善成本和交付周期。
【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，然而，这无疑将增加成本的压力。在经过一年多的深入探索后，但公司已经在探索开发这种更先进的光刻工具。而半导体行业对此的探索从未止步。Hyper-NA在成本上更具优势，虽然目前还没有做出最终决定，到2030年左右，
根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，还需要重新设计光刻工具和开发新的组件，High-NA EUV可能已接近其技术极限。随着技术的发展，半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。对于ASML而言，ASML的Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。