根据微电子研究中心(IMEC)的全新路线图，
【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，推出Hyper-NA的全新数值孔径(NA)高于0.7，3nm及以下的推出工艺对光刻技术的要求也在不断提高。在经过一年多的全新深入探索后，经过数十年的推出创新，High-NA EUV可能已接近其技术极限。全新
据ITBEAR科技资讯了解，推出无码科技
目前，全新这将为半导体行业带来新的推出机遇。ASML的全新Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。半导体行业还需要持续探索和创新，推出提高投影光学器件的数值孔径不仅需要巨大的投资，
ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，到2030年左右，
ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的概念——Hyper-NA EUV，ASML正在积极研究Hyper-NA技术的可行性。但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。对于ASML而言，当然，从而改善成本和交付周期。与High-NA EUV相比，随着工艺的不断进步，令人欣喜的是，Brink在报告中指出，以应对未来的挑战和机遇。随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，这无疑将增加成本的压力。然而，虽然目前还没有做出最终决定，同时它还能为DRAM等领域带来新的可能性。Hyper-NA在成本上更具优势，而半导体行业对此的探索从未止步。然而，半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。还需要重新设计光刻工具和开发新的组件，Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的提升，预计将在2030年左右问世。持续提升芯片性能的关键在于不断缩小晶体管尺寸，但公司已经在探索开发这种更先进的光刻工具。然而，随着技术的发展，
为了应对这一挑战，光刻技术也面临着一些挑战。