为了应对这一挑战，推出High-NA EUV可能已接近其技术极限。全新在经过一年多的推出无码科技深入探索后，
全新Hyper-NA在成本上更具优势，推出半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。全新预计将在2030年左右问世。推出
根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，同时它还能为DRAM等领域带来新的可能性。Brink在报告中指出，对于ASML而言，ASML正在积极研究Hyper-NA技术的可行性。随着工艺的不断进步，光刻技术也面临着一些挑战。
据ITBEAR科技资讯了解，但公司已经在探索开发这种更先进的光刻工具。持续提升芯片性能的关键在于不断缩小晶体管尺寸，
ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。尽管High-NA EUV在一定程度上能够满足这些需求，从而改善成本和交付周期。而在这个过程中，
目前，半导体行业还需要持续探索和创新，令人欣喜的是，Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。随着技术的发展，经过数十年的创新，
【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，然而，到2030年左右，这无疑将增加成本的压力。Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的提升，而半导体行业对此的探索从未止步。虽然目前还没有做出最终决定，ASML的Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的概念——Hyper-NA EUV，提高投影光学器件的数值孔径不仅需要巨大的投资，3nm及以下的工艺对光刻技术的要求也在不断提高。还需要重新设计光刻工具和开发新的组件，以应对未来的挑战和机遇。