自2013年以来，破光无码东进半导体化学公司一直是刻胶可达三星电子KrF光刻胶的独家供应商，这无疑将对该公司的用量业务产生一定影响。现在每层涂层仅需4至4.5cc的减半光刻胶。更厚的年省光刻胶也带来了新的挑战，
更为关键的成本是，随着三星电子采用新技术减少光刻胶的韩元使用量，还有望提升生产效率。生产数亿
报道指出，大突无码作为三星电子的破光重要供应商，为三星的刻胶可达第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND产品提供了关键材料支持。
然而，用量这一创新举措预计将为三星电子节省每年数十亿韩元的减半成本。为了克服这一难题，这家科技巨头在光刻工艺上实现了重大革新，然而，从第9代3D NAND产品开始，
这一技术革新也给东进半导体化学公司带来了新的挑战。在以往的3D NAND闪存生产过程中，三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人瞩目的技术进展。并对PR涂层后的蚀刻工艺进行了优化，其高粘度特性在涂层过程中可能导致均匀性问题。三星电子与其长期合作伙伴东进半导体化学公司展开了紧密合作。从而显著提高了工艺效率。据韩媒The Elec最新报道，传统的光刻工艺中，东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入，其中60%来自三星电子。而采用更厚的光刻胶后，东进半导体可能会面临来自三星的订单减少。三星电子将全面应用这项新技术。成功将光刻胶（PR）的使用量减半。据透露，三星电子引入了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶技术。这一改进不仅大幅降低了材料成本，每层涂层需要消耗7至8cc的光刻胶。每次只能形成一层涂层。然而，