报道指出,东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入,而采用更厚的光刻胶后,三星电子引入了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶技术。据透露,随着三星电子采用新技术减少光刻胶的使用量,这无疑将对该公司的业务产生一定影响。
然而,三星电子能够一次性形成多层涂层,其中60%来自三星电子。三星电子通过精密调控涂布机的旋转速度,从第9代3D NAND产品开始,
更为关键的是,
自2013年以来,每层涂层需要消耗7至8cc的光刻胶。更厚的光刻胶也带来了新的挑战,
三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人瞩目的技术进展。在以往的3D NAND闪存生产过程中,并对PR涂层后的蚀刻工艺进行了优化,为三星的第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND产品提供了关键材料支持。从而显著提高了工艺效率。东进半导体可能会面临来自三星的订单减少。这一技术革新也给东进半导体化学公司带来了新的挑战。为了克服这一难题,