此前有消息称，迈进三星Samsung正向 2 纳米工艺大步迈进，艺击已讨论为高通和三星Samsung的败主 LSI 部门生产原型产品，
消息称三星晶圆代工厂（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的竞争 SF2 GAAFET 工艺，因为这种光刻技术预计要到 2026 年才会投入使用。星S希望新工无码科技以用于遥远的纳米骁龙 8 Gen 5 芯片组，
而最新报道称三星Samsung已经和高通深化合作关系，工艺高通公司已要求三星和台积电提供 2nm 样品，大步对手但不太可能使用 2nm 工艺进行量产，迈进
就进展而言，艺击但这项技术可能会用于未来的败主骁龙 8 Gen 5，
高通公司有可能正在评估 2 纳米 SF2 GAAFET 工艺，
2 月 24 日消息，三星Samsung正在开发配备 10 核 CPU 集群的 Exynos 2500，这其中一个重要原因是，高通公司不断提高高端 SoC 的定价，
此前援引 ETNews 报道，表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。三星Samsung希望凭借着 2nm 进一步降低依赖。高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，该芯片组将直接接替 Exynos 2400，而三星 LSI 则可能正在开发 2 纳米 “Exynos 2600” 系统芯片设计。据说它获得了第一个客户–一家名为 Preferred Networks (PFN) 的日本初创公司。希望在未来的 2 纳米节点领域击败其主要竞争对手。从而降低对高通骁龙芯片的依赖，三星Samsung已经在 2nm 工艺的竞争中领先于台积电，
报道称三星Samsung通过增强其自家的 Exynos 芯片，