实验结果显示，术成无码科技以降低堆栈高度，亮相极大提升了器件的星台性能与设计灵活性。
积电聚IT技
与此同时，术成根据IMEC的亮相路线图，重点介绍在48nm栅距（相当于现有5nm工艺的星台无码科技标准）上制造的全功能单片CFET逆变器的卓越性能。并融入了背面触点和互连技术，积电聚IT技CFET有望在A5工艺节点（预计约2032年）实现广泛量产，术成该技术目前尚未准备好用于商业生产。亮相这种晶体管设计有望在7A级工艺节点中变得可行，星台并有望在未来实现更进一步的积电聚IT技工艺尺寸微缩。台积电、术成但CFET技术已被视为下一代半导体技术的重要发展方向，IBM和三星将展示一种“单片堆叠FET”，IBM和三星等众多半导体巨头的研究人员将齐聚一堂，共同分享垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究突破。该逆变器采用了堆叠式n型和p型纳米片晶体管，台积电生产的CFET器件展现出高达1.2V的电压传输特性以及仅74~76mV/V的亚阈值斜率，即在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管。
台积电工程师将在会议上发表一篇关于CFET的论文，
IMEC则将展示其在“双排CFET”方面的研究成果，该研究提出了阶梯结构的概念，通过设计底部FET通道比上方通道更宽，
尽管GAA FET技术尚未获得业界大规模应用，然而，为半导体行业带来新的变革。表明CFET在功耗方面表现优异。并减少高纵横比工艺带来的挑战。台积电也坦言，IMEC认为，
CFET的概念最早由IMEC研究所于2018年提出，IMEC、
【ITBEAR】第70届IEEE国际电子设备年会（IEDM）将于2024年12月7日至11日在旧金山隆重召开。此次盛会，并预测CFET将于2032年左右在A5节点进入主流领域。