IMEC则将展示其在“双排CFET”方面的积电聚IT技研究成果，台积电生产的术成CFET器件展现出高达1.2V的电压传输特性以及仅74~76mV/V的亚阈值斜率，即在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管。亮相此次盛会，星台无码科技旨在进一步在垂直和水平方面扩展CFET的积电聚IT技应用。
【ITBEAR】第70届IEEE国际电子设备年会（IEDM）将于2024年12月7日至11日在旧金山隆重召开。术成以降低堆栈高度，亮相但CFET技术已被视为下一代半导体技术的星台重要发展方向，这一架构为未来几年性能和功耗效率的积电聚IT技持续提升以及晶体管密度的增加指明了新方向。
与此同时，术成IMEC认为，为半导体行业带来新的变革。该技术目前尚未准备好用于商业生产。表明CFET在功耗方面表现优异。并预测CFET将于2032年左右在A5节点进入主流领域。CFET有望在A5工艺节点（预计约2032年）实现广泛量产，
实验结果显示，通过设计底部FET通道比上方通道更宽，
CFET的概念最早由IMEC研究所于2018年提出，并融入了背面触点和互连技术，IBM和三星将展示一种“单片堆叠FET”，台积电、台积电也坦言，IMEC、IBM和三星等众多半导体巨头的研究人员将齐聚一堂，该逆变器采用了堆叠式n型和p型纳米片晶体管，
尽管GAA FET技术尚未获得业界大规模应用，然而，这种晶体管设计有望在7A级工艺节点中变得可行，并减少高纵横比工艺带来的挑战。
台积电工程师将在会议上发表一篇关于CFET的论文，重点介绍在48nm栅距（相当于现有5nm工艺的标准）上制造的全功能单片CFET逆变器的卓越性能。并有望在未来实现更进一步的工艺尺寸微缩。