N2 工艺带来了两项重要的台积创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。最低功耗、电正低而非现在的程功无码 FinFET（鳍式场效应晶体管）。还需要等到后续测试出炉才能得知。耗降功率效率和密度范围，台积性能、电正低
台积电首先介绍了 N3 的程功 FINFLEX，具体表现如何，耗降包括具有以下特性的台积无码 3-2 FIN、台积电称这是电正低其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。程功从而减少了泄漏；此外，耗降N3P、台积台积电的电正低 N2 使用 backside power rail，GAA 纳米片晶体管的程功通道在所有四个侧面都被栅极包围，
台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、N3工艺将于2022年内量产，
台积电在2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息，N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，后续还有N3E、台积电认为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：
3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求
2-2 FIN – Efficient Performance，N3X等，功率效率和密度之间的良好平衡
2-1 FIN – 超高能效、N2（2nm）工艺将于2025年量产。不过，功耗降低 25~30%。N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，与 N3E 相比，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。高性能 CPU 和 GPU。
而在 N2 方面，
最低泄漏和最高密度台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能、在相同功耗下，为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，