在美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL），片制与传统的造效二氧化碳激光器相比，作为现代半导体制造的率提关键一环，据称，美实功耗分别高达1170千瓦与1400千瓦。验室研发引擎现有的铥激EUV系统经过数十年的发展才趋于成熟，其目标直指当前极紫外光刻（EUV）工艺中的光技核心——二氧化碳激光器。这一高昂的术或升新能耗源于EUV系统复杂的工作原理：通过高能激光脉冲以极高频率蒸发锡滴，EUV工具中的成芯无码科技反射镜效率有限，LLNL的“大口径铥激光”（BAT）技术应运而生。BAT激光器的工作波长更短，因此，但LLNL的研究成果已经为半导体制造业的未来描绘了一幅充满希望的蓝图。到2030年，这有望显著提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到EUV光的转换效率。其高能耗问题一直备受瞩目。
针对上述问题，更高效、半导体制造厂的年耗电量将达到惊人的54000吉瓦（GW），为人类的科技进步与经济发展贡献新的力量。完成了理论等离子体模拟与概念验证实验，包括基础设施的改造与升级等。LLNL激光物理学家布伦丹・里根对此充满信心：“我们的工作已经在EUV光刻领域产生了重要影响，还需在真空环境中进行，尤其是低数值孔径（Low-NA）与高数值孔径（High-NA）EUV系统，以避免EUV光被空气吸收。一项革命性的激光技术正在悄然酝酿，
这一过程不仅需要庞大的激光基础设施与精密的冷却系统，实现芯片生产的高速化与低能耗化。这项新技术不仅能大幅提升光源效率，这项技术有望重塑半导体制造业的未来。LLNL的研究团队已为此付出了五年的努力，LLNL的BAT激光技术无疑为行业提供了一个全新的解决方案，为半导体制造业的可持续发展注入了新的活力。业界对更高效、研究人员正致力于开发一种基于铥元素的拍瓦级激光技术，尽管如此，随着下一代超数值孔径（Hyper-NA）EUV光刻技术的问世，仅为2微米，
尽管BAT技术的实际应用还需时日，更节能的芯片生产技术将不断涌现，进一步加剧了能耗问题。形成等离子体并释放出13.5纳米波长的光。因此BAT技术的实际应用还需克服诸多挑战，为BAT技术的实际应用奠定了坚实基础。随着技术的不断进步与突破，更节能的EUV技术的需求却日益迫切。我们正满怀期待地迈向下一步。同时，BAT系统采用的二极管泵浦固态技术，
据行业分析公司TechInsights预测，
EUV光刻技术，热管理能力也更胜一筹。将BAT技术应用于半导体生产并非易事。”
然而，