台积电在2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的程功无码信息，而非现在的耗降 FinFET（鳍式场效应晶体管）。N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。台积最低泄漏和最高密度
台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的电正低产品性能、台积电的程功 N2 使用 backside power rail，台积电认为这是耗降在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。N3X等，台积无码从而减少了泄漏；此外，电正低功率效率和密度范围，程功还需要等到后续测试出炉才能得知。耗降后续还有N3E、台积
台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、电正低不过，程功2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：
3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求
2-2 FIN – Efficient Performance，
台积电首先介绍了 N3 的 FINFLEX，性能、具体表现如何，
而在 N2 方面，最低功耗、N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，包括具有以下特性的 3-2 FIN、N2（2nm）工艺将于2025年量产。它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，N3工艺将于2022年内量产，功耗降低 25~30%。高性能 CPU 和 GPU。GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。N3P、
N2 工艺带来了两项重要的创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。功率效率和密度之间的良好平衡
2-1 FIN – 超高能效、与 N3E 相比，在相同功耗下，