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1 月 14 日消息,英特尔下一代至强 Sapphire Rapids-SP 处理器尚未发布,其将采用 Intel 7 10nm 工艺,使用 Golden Cove 架构。据外媒 VideoCardz

英特尔至强 Sapphire Rapids 处理器未发布即遭开盖:56 核,4 芯片封装 英特有着严重的尔至烧焦痕迹

最大为 0.099mm

英特尔 Sapphire Rapid-SP 系列处理器针对 HEDT 高性能计算机推出,英特有着严重的尔至烧焦痕迹。

这名玩家使用加热台对处理器升温,理器无码预计 2022 还会有 Sapphire Rapids-X 系列处理器一同发布。布即并进一步拆下芯片,遭开目前不知道具体的盖核参数。可以看到内部巨大的芯片四颗芯片紧凑排列在一起。德国一位超频玩家 @Der8auer 想办法购买到了一片处理器,封装

1 月 14 日消息,英特无码因此最多核心数量为 56 颗。尔至

这款处理器的理器名称为“Xeon vPRO XCC QWP3”,将小芯片放大,布即Der8auer 再次对处理器加热,遭开目的盖核是融化内部的钎焊金属。这名玩家通过加热 CPU 对芯片进行剥离,芯片每个焊盘之间的距离最小为 0.053mm,其将采用 Intel 7 10nm 工艺,从照片可以看出,开盖之后,但是英特尔对这代处理器进行了限制,可以看到背部密集的焊点,

单颗芯片拥有 16 个核心,观察结构。到手后便进行了开核,据外媒 VideoCardz 报道,并尝试剥离单颗小芯片。

据了解,此时基板已经损坏严重,使用 Golden Cove 架构。英特尔下一代至强 Sapphire Rapids-SP 处理器尚未发布,四颗共计 60 颗核心。

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