尽管采用了较为激进的遇延期EUV技术来降低成本，这导致其DDR5服务器内存条获得英特尔产品认证的阻H证或时间晚于竞争对手SK海力士。有关三星电子HBM3E产品的内内部无码消息引起了业界的关注。至今未能通过主要客户英伟达的考虑认证并实现供货。三星电子正在内部讨论是调整否对部分1a DRAM电路进行重新设计，原因在于，遇延期后者已采用1nm级DRAM技术。阻H证或这些技术优势并未转化为经济上的内内部优势。
与竞争对手SK海力士和美光相比，考虑使得其1a DRAM产品相比SK海力士同期产品多了5个EUV层，调整无码
【ITBEAR】近日，遇延期据报道，阻H证或三星电子在HBM领域的内内部工艺显得较为落后，有消息透露，考虑预计该产品的调整供应将推迟至2025年的第2至3季度。但这一决策尚未确定。但由于EUV工艺的复杂性和稳定性问题，三星电子的12nm级DRAM最初设计时并未考虑用于HBM领域，三星电子的1a DRAM还面临着工艺和设计上的双重挑战。这无疑将影响三星电子向下游厂商的及时交付。因此无法迅速调整以适应HBM3E内存的需求。而重新设计并批量生产需要6个月时间，
三星的1a DRAM设计本身也存在问题，这款36GB容量的HBM3E 12H内存由于受制于其14nm级DRAM技术，同时，