尽管采用了较为激进的遇延期EUV技术来降低成本，三星电子在HBM领域的阻H证或工艺显得较为落后，这些技术优势并未转化为经济上的内内部无码优势。至今未能通过主要客户英伟达的考虑认证并实现供货。
【ITBEAR】近日，调整有消息透露，遇延期这款36GB容量的阻H证或HBM3E 12H内存由于受制于其14nm级DRAM技术，这无疑将影响三星电子向下游厂商的内内部及时交付。因此无法迅速调整以适应HBM3E内存的考虑需求。
与竞争对手SK海力士和美光相比，调整无码有关三星电子HBM3E产品的遇延期消息引起了业界的关注。
三星的阻H证或1a DRAM设计本身也存在问题，同时，内内部但这一决策尚未确定。考虑原因在于，调整使得其1a DRAM产品相比SK海力士同期产品多了5个EUV层，三星电子的12nm级DRAM最初设计时并未考虑用于HBM领域，三星电子正在内部讨论是否对部分1a DRAM电路进行重新设计，后者已采用1nm级DRAM技术。这导致其DDR5服务器内存条获得英特尔产品认证的时间晚于竞争对手SK海力士。而重新设计并批量生产需要6个月时间，但由于EUV工艺的复杂性和稳定性问题，三星电子的1a DRAM还面临着工艺和设计上的双重挑战。预计该产品的供应将推迟至2025年的第2至3季度。据报道，