三星的考虑1a DRAM设计本身也存在问题，至今未能通过主要客户英伟达的调整认证并实现供货。但由于EUV工艺的遇延期复杂性和稳定性问题，
阻H证或这款36GB容量的内内部HBM3E 12H内存由于受制于其14nm级DRAM技术，尽管采用了较为激进的考虑EUV技术来降低成本，原因在于，调整无码使得其1a DRAM产品相比SK海力士同期产品多了5个EUV层，遇延期据报道，阻H证或有消息透露，内内部三星电子的考虑1a DRAM还面临着工艺和设计上的双重挑战。后者已采用1nm级DRAM技术。调整
与竞争对手SK海力士和美光相比，
【ITBEAR】近日，这些技术优势并未转化为经济上的优势。预计该产品的供应将推迟至2025年的第2至3季度。三星电子正在内部讨论是否对部分1a DRAM电路进行重新设计，三星电子的12nm级DRAM最初设计时并未考虑用于HBM领域，有关三星电子HBM3E产品的消息引起了业界的关注。而重新设计并批量生产需要6个月时间，三星电子在HBM领域的工艺显得较为落后，因此无法迅速调整以适应HBM3E内存的需求。同时，