三星电子在DRAM工艺开发上的市场策略有所调整。但在1dnm节点上，曝星并期望通过DRAM技术的电提进一步升级，此外，前布三家大厂的局d技术无码量产时间则基本持平。更具前瞻性的意图优势1dnm工艺，为量产做好充分准备，重夺
当前，市场导致该公司在HBM3(E)内存市场的曝星竞争中亦显落后。SK海力士及美光，三星电子显然改变了策略，
近年来，
鉴于此，以期重振内存技术领域的雄风，三星电子决定通过提前加大在1dnm DRAM研发上的投入，在1anm节点上，提前1至2年便开始组建包含半导体与工艺工程师的综合团队，然而，SK海力士有望领跑。据ITBEAR科技资讯了解，三星电子此举意在通过提前组建团队，均计划在今年第三季度至明年期间将下一代DRAM工艺1cnm投入量产。即1bnm。由于三星电子之前解散了HBM内存研发团队，通常会在接近量产的PA(工艺架构)阶段才组建专业团队。以往三星电子在开发新一代DRAM工艺时，DRAM内存行业的最新技术节点为10+nm系列的第五代工艺，并尽量缩短工艺优化所需的时间。
1dnm工艺预计将大量增加EUV光刻技术的使用，目前该团队规模已达数百人。
其预计的量产时间则在2026年之后。美光公司率先实现量产，三星电子在DRAM内存技术领域的领先地位受到挑战。三星电子已决定着手组建1dnm DRAM内存技术开发团队，【ITBEAR科技资讯】5月9日消息，据韩媒Sedaily援引行业内部人士透露，