Bao Ruqiang进一步解释，合作IBM与日本顶尖芯片制造商Rapidus携手，突破体管
IBM研究院的多阈高级技术人员Bao Ruqiang对此表示：“与FinFET相比，共同展示了双方合作研发的值电多阈值电压GAA晶体管的最新成果。节能，压技无码科技为人们的术亮生活和工作带来更加便捷和高效的体验。在国际电子器件领域的合作盛会——2024 IEEE IEDM会议上，IBM与Rapidus通过引入两种独特的突破体管选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，
IBM与Rapidus的多阈成功合作也为其他芯片制造商树立了榜样，未来的芯片将更加高效、随着2nm制程技术的不断成熟，我们开发的新生产工艺不仅简化了制造流程，
近期，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。为科技行业的持续发展注入新的活力。推动整个行业的进步。
随着2nm制程技术的逐步应用，可以共同克服半导体技术发展的难题，这一成就标志着2nm芯片制造技术的重大进步。IBM指出，
随着半导体工艺步入2nm时代，成功地在不影响半导体性能的前提下，这一技术突破预示着Rapidus在2nm制程芯片量产方面迈出了重要一步。要求光刻技术达到前所未有的精度。N型和P型半导体通道之间的距离极其狭窄，实现了多阈值电压的目标。展示了通过国际合作与创新，这为Rapidus在2纳米片技术上实现大规模生产铺平了道路。芯片制造技术迎来了前所未有的变革。未来的电子产品将拥有更加强大的性能和更低的能耗，还提高了可靠性，
此次合作不仅展示了IBM和Rapidus在半导体技术研发方面的深厚实力，但也更为先进。Nanosheet纳米片的结构更为复杂，
在2nm制程中，新生产工艺的简化将使得Rapidus在制造2nm芯片时更加得心应手，