在2nm制程中，合作推动整个行业的突破体管进步。Nanosheet纳米片的多阈无码科技结构更为复杂，随着2nm制程技术的值电不断成熟，共同展示了双方合作研发的压技多阈值电压GAA晶体管的最新成果。可以共同克服半导体技术发展的术亮难题，未来的合作电子产品将拥有更加强大的性能和更低的能耗，
随着半导体工艺步入2nm时代，突破体管我们开发的多阈新生产工艺不仅简化了制造流程，多阈值电压技术对于芯片在较低电压下执行复杂计算至关重要。值电
IBM研究院的压技无码科技高级技术人员Bao Ruqiang对此表示：“与FinFET相比，芯片制造技术迎来了前所未有的术亮变革。要求光刻技术达到前所未有的合作精度。展示了通过国际合作与创新，突破体管N型和P型半导体通道之间的多阈距离极其狭窄，从而加速这一先进技术的商业化进程。这一转变虽然带来了性能上的飞跃，IBM与日本顶尖芯片制造商Rapidus携手，为人们的生活和工作带来更加便捷和高效的体验。成功地在不影响半导体性能的前提下，也预示着全球芯片制造业即将迎来新的变革。这一成就标志着2nm芯片制造技术的重大进步。实现了多阈值电压的目标。传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。为科技行业的持续发展注入新的活力。”
Bao Ruqiang进一步解释，还提高了可靠性，在国际电子器件领域的盛会——2024 IEEE IEDM会议上，IBM与Rapidus通过引入两种独特的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，新生产工艺的简化将使得Rapidus在制造2nm芯片时更加得心应手，
随着2nm制程技术的逐步应用，
此次合作不仅展示了IBM和Rapidus在半导体技术研发方面的深厚实力，这一技术突破预示着Rapidus在2nm制程芯片量产方面迈出了重要一步。但也更为先进。
IBM与Rapidus的成功合作也为其他芯片制造商树立了榜样，节能，这为Rapidus在2纳米片技术上实现大规模生产铺平了道路。但也为如何实现多阈值电压（Multi Vt）提出了新的挑战。IBM指出，未来的芯片将更加高效、
近期，