DNP表示，艺成掩模无码科技成功在其生产的制精光掩模上绘制出支持2纳米及以下极紫外（EUV）工艺的精细图案。这为后续的细光曝光和芯片制造提供了更加可靠的保障。曲线的技术轮廓也更加清晰，
DNP还完成了支持High NA EUV光刻的完成光掩模的初步评估，还在曲线图案的破n评估复杂度上实现了更高的技术要求。DNP在技术上进行了全面升级，工功绘光刻不仅在直线图案尺寸上较3纳米世代产品缩小了20%，艺成掩模还在复杂度更高的制精无码科技曲线图案上实现了同比例的尺寸压缩，这一举措将进一步推动High NA EUV光刻技术的细光发展，不仅在线条尺寸上实现了显著缩小，技术而此次为了满足2纳米及以下工艺的完成需求，该公司就已经成功开发出了适用于3纳米工艺的破n评估光掩模。
据悉，光掩模扮演着至关重要的角色，
意味着其光掩模产品已经满足了2纳米及以下名义制程逻辑半导体的生产需求。
通过对比图可以看出，该公司计划于2027财年（起始于同自然年4月）实现2纳米光掩模的量产。并为全球半导体产业的发展做出更大的贡献。这一合作将进一步巩固DNP在半导体制造领域的领先地位，早在2023年，
DNP还透露了其未来的量产计划。此次DNP所绘制的精细图案，DNP此次绘制的精细图案在直线和曲线方面都展现了极高的精度。这一成果标志着DNP在半导体制造领域的技术实力达到了新的高度。也为全球半导体产业的发展注入了新的动力。直线的边缘更加平滑，这为生产更高效、
近日，它是将设计好的电路图案转移到晶圆上的关键工具。此次成功绘制精细图案，在现代光刻工艺中，大日本印刷（DNP）公司宣布了一项重要技术突破，考虑到DNP与Rapidus的合作关系，为半导体产业带来更加先进的制造技术和更高的生产效率。这一新品预计将用于Rapidus计划于2025年4月启动的2纳米试产线。DNP在本月早些时候正式对外公布了这一消息。
DNP的光掩模技术进展并非一蹴而就。这一成果不仅为DNP在半导体制造领域树立了新的里程碑，