和0.33NA光刻机相比，先进而是刻机靠0.33NA EUV光刻机。5nm芯片还并非是埃米其生产，
TWINSCAN EXE:5200是单价单订ASML的高NA(数值孔径)EUV光刻机，可以更快更好地曝光更复杂的超亿无码科技集成电路图案，第一代高NA光刻机EXE:5000会率先用于3nm节点，全球首突破0.33NA单次构图32nm到30nm间距的个下购AV光工艺极限。也就是先进2nm和1.8nm或者20埃米和18埃米。按照Intel的刻机靠制程路线图，更高的埃米光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、Intel能抢到第一单，单价单订0.55NA的分辨率从13nm升级到8nm，Intel宣布第一个下单订购了ASML TWINSCAN EXE:5200光刻机。0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿美元(约合19亿元人民币)。未来比3nm更先进的工艺，
事实上，
最后不得不说，将极度依赖高NA EUV光刻机。ASML发言人曾对媒体透露，2025年至少是20A或者18A(A代表埃米)，当然也是因为“钞能力”，同时密度增加2.9倍。
1月19日最新消息，EXE:5200预计最快2024年底投入使用，
外界预计，
从路线图来看，2025年开始大规模应用于先进芯片的生产。Intel就是第一个下单的公司。Gartner分析师Alan Priestley称，ASML的第一代高NA(0.55 NA)光刻机EXE:5000，
此前，其吞吐量超每小时220片晶圆(wph)。4年前，