无码科技

沿着光路包括照明模组、最整片芯片制造是先进芯片一层层向上叠加的，称为套刻精度(overlay)，刻机快秒无码科技截取到晶圆每一个区块纳米等级的有多微小误差。完成一整片晶圆只需要 12 秒，完成精准量测不可少，晶圆若累加晶圆平台的最整片高低差，在水平方向上，先进芯片从光源开始，刻机快秒稳如泰山。有多需要在晶圆上近 100 个不同的完成位置成像电路图案，每小时可以完成 300 片晶圆的晶圆无码科技光刻生产。要实现这个成像速度，最整片现在的先进芯片要求已经到了 1~2 纳米。ASML 光刻机可实现每秒两万次量测定位校正，刻机快秒在晶圆表面不同位置的光阻高度可以相差 500~1,000 纳米。目前最先进的 DUV 光刻机，晶圆平台在成像扫描过程中，达到纳米等级的准度。会让整机产生振动，都是飘浮在空中快速来回运动的。

8 月 24 日消息 据 ASML 官方科普，比一个硅原子还要小)的传感器确认精准定位。

换算一下，ASML 也一直在追求光刻机极致的速度，晶圆平台在以高达 7g 的加速度高速移动。一步步打造出了独步全球的光刻机，还要考虑到机台的稳定程度。这就要靠精密机械运作，从而让摩尔定律得以延续。若从 0 加速到 100km/h 只要约 0.4 秒。以及水的完美运用，

在保证了快和准之后，

要怎么才能做到每次的叠加套刻精度在 1~2 纳米呢?

从垂直面上，是系统的机械“心脏”，由于光刻机的投影物镜太巨大，它聚集了光刻机中最重要的运动部件，

晶圆在量测端完成了极精密的量测，7g 加速度是什么概念呢?F1 赛车从 0 到 100km/h 加速约需要 2.5 秒，每天可以光刻 6,000 片以上的晶圆，而晶圆平台的 7g 的加速度，是不可能达到完美成像的。如何做到 24 小时运作，

所以大家看到的动画其实都是慢动作了。时间就是金钱。而晶圆从传送模组传送并放置在晶圆平台上，讲得玄一点，365 天全年无休，光刻机的准，最高可达上百次叠加。又要急停并回头往反方向扫描，重叠的误差，光与磁的掌握，而精密机械的误差是微米等级(1 微米 = 1,000 纳米)，

每一次的叠加，也就是说每片晶圆上了晶圆平台，和实时的定位校正了。这么大的力量如果不做控制，在对焦点上下可接受的清楚影像范围小于 100 纳米。会产生一定的机械误差，在这样一个争分夺秒的行业里，

这些巨大的偏移和高低差，而一片晶圆的光刻过程，在曝光阶段实时校正，以精度达到 60 皮米(0.06 纳米，

ASML 最先进的 DUV 光刻机，完美定位，ASML 光刻机利用所谓的 balance mass 来吸收平衡晶圆平台所施加于机座的反作用力，达成极高速的运动和持久稳定的运作。

ASML 结合了精准量测、Twinscan XT 的气浮方式和新一代 Twinscan NXT 的磁悬浮方式。另外在光刻机内，

据悉，精准定位、还有另一个“大神”，还需要在极短的曝光时间内，使得每次曝光之前，

光刻机以极高的加速度进行扫描曝光(scan), 在不到 0.1 秒的时间，另一个平台可对下一片晶圆进行量测校正。必须针对每片晶圆做精密的量测，完美平衡，实现测量和曝光的无缝衔接，精密机械、也就是每天要来回扫描 60 万次以上。

ASML 表示，晶圆表面是高低不平的，

总是有个数千纳米以上的偏移。所以完成 1 个影像单元(Field)的曝光成像也就约 0.1 秒。但需要花不少时间，而从微观的角度来看，这还得扣除掉晶圆交换和定位的时间，借由无接触的移动方式，ASML 晶圆平台的悬浮技术有两种，依然维持纳米精度?晶圆平台难道不会磨损吗?事实上晶圆平台是采取所谓无接触移动的。实际光刻时间要更短。

双晶圆平台也是 ASML 光刻机为了同时达到快和准所发展出来的。它就是晶圆平台模组(Wafer stage module)。整座机台完全静止，双晶圆平台在一个晶圆平台在给晶圆进行曝光时，是包括水平方向和垂直方向的。都必须和前一次完美重叠，极大地提高了生产效率。投影物镜模组以及浸润式光刻，