据悉，晶圆目前最先进的最整片 DUV 光刻机，也就是先进芯片每天要来回扫描 60 万次以上。极大地提高了生产效率。刻机快秒
每一次的有多叠加，还有另一个“大神”，完成依然维持纳米精度?晶圆无码科技晶圆平台难道不会磨损吗?事实上晶圆平台是采取所谓无接触移动的。会让整机产生振动，最整片达到纳米等级的先进芯片准度。整座机台完全静止，刻机快秒精准定位、也就是说每片晶圆上了晶圆平台，完美平衡，若从 0 加速到 100km/h 只要约 0.4 秒。这么大的力量如果不做控制，而从微观的角度来看，ASML 光刻机可实现每秒两万次量测定位校正，365 天全年无休，它聚集了光刻机中最重要的运动部件，
晶圆在量测端完成了极精密的量测，是不可能达到完美成像的。
ASML 结合了精准量测、使得每次曝光之前，
换算一下，7g 加速度是什么概念呢?F1 赛车从 0 到 100km/h 加速约需要 2.5 秒，实现测量和曝光的无缝衔接，由于光刻机的投影物镜太巨大，称为套刻精度(overlay)，沿着光路包括照明模组、
所以大家看到的动画其实都是慢动作了。
双晶圆平台也是 ASML 光刻机为了同时达到快和准所发展出来的。双晶圆平台在一个晶圆平台在给晶圆进行曝光时，在水平方向上，最高可达上百次叠加。而晶圆平台的 7g 的加速度，在这样一个争分夺秒的行业里，都必须和前一次完美重叠，一步步打造出了独步全球的光刻机，还要考虑到机台的稳定程度。晶圆平台在成像扫描过程中，这还得扣除掉晶圆交换和定位的时间，又要急停并回头往反方向扫描，还需要在极短的曝光时间内，
在保证了快和准之后，ASML 也一直在追求光刻机极致的速度，芯片制造是一层层向上叠加的，晶圆平台在以高达 7g 的加速度高速移动。若累加晶圆平台的高低差，在曝光阶段实时校正，稳如泰山。从而让摩尔定律得以延续。
以及水的完美运用，现在的要求已经到了 1~2 纳米。完成一整片晶圆只需要 12 秒，需要在晶圆上近 100 个不同的位置成像电路图案，时间就是金钱。ASML 晶圆平台的悬浮技术有两种，所以完成 1 个影像单元(Field)的曝光成像也就约 0.1 秒。这些巨大的偏移和高低差，而晶圆从传送模组传送并放置在晶圆平台上，Twinscan XT 的气浮方式和新一代 Twinscan NXT 的磁悬浮方式。重叠的误差，但需要花不少时间，晶圆表面是高低不平的，
ASML 最先进的 DUV 光刻机，都是飘浮在空中快速来回运动的。这就要靠精密机械运作，而一片晶圆的光刻过程，比一个硅原子还要小)的传感器确认精准定位。光与磁的掌握，每天可以光刻 6,000 片以上的晶圆，它就是晶圆平台模组(Wafer stage module)。实际光刻时间要更短。
8 月 24 日消息 据 ASML 官方科普，借由无接触的移动方式，光刻机的准，
光刻机以极高的加速度进行扫描曝光(scan), 在不到 0.1 秒的时间，从光源开始，是包括水平方向和垂直方向的。精准量测不可少，另一个平台可对下一片晶圆进行量测校正。会产生一定的机械误差，达成极高速的运动和持久稳定的运作。精密机械、投影物镜模组以及浸润式光刻，要实现这个成像速度，在对焦点上下可接受的清楚影像范围小于 100 纳米。讲得玄一点，如何做到 24 小时运作，是系统的机械“心脏”，每小时可以完成 300 片晶圆的光刻生产。必须针对每片晶圆做精密的量测，
ASML 表示，完美定位，
要怎么才能做到每次的叠加套刻精度在 1~2 纳米呢?
从垂直面上，而精密机械的误差是微米等级(1 微米 = 1,000 纳米)，在晶圆表面不同位置的光阻高度可以相差 500~1,000 纳米。另外在光刻机内，