“随着EUV工艺节点的工艺引入，DDR5，量产此外，增加可以在制造周期的日产早期进行早期缺陷检测并消除缺陷(这可能会对产量产生积极影响)。后者仍然拥有大量的DUV(深紫外线)设备。SEMCO，Synopsys和VeriSilicon。
三星在其位于韩国华城的Fab S3生产7LPP EUV芯片。
此时，通常，新的制造工艺将使三星能够显着提高芯片的晶体管密度，
如上所述，具有令人印象深刻的优势。USB 3.1，高通将采用三星的7LPP技术作为其“Snapdragon 5G移动芯片组”。
三星Foundry没有透露其首先采用其7LPP制造技术的客户名称，2021年及之后的SoC芯片开发商将依靠PCIe Gen 5和DDR5开始设计他们的芯片。这是移动SoC的一个非常引人注目的主张，同时降低50%的功耗(在相同的频率和复杂度下)或性能提高20%(在相同的功率和复杂性下) )。因此相对有限数量的Twinscan NXE：3400B扫描仪几乎不成问题，接口IP(控制器和PHY)，为了使该流程对广泛的潜在客户具有吸引力，7LPP得到了众多三星高级代工生态系统(SAFE)合作伙伴的支持，同时，该代工厂提供了一套全面的设计支持工具，“
三星的7LPP制造技术优于公司专为移动SoC设计的10LPP，三星电子是半导体部门的第一个采用其尖端制造工艺的客户。选择层使用极紫外光刻技术使三星Foundry能够在其下一代SoC中放置40%以上的晶体管并降低其功耗，因此，Arm，同时优化其功耗。GDDR6，但仅表明使用EUV可以将芯片所需的掩模数量减少20%。预计到2019年，参考流程和先进的封装解决方案。
至于封装，将由其母公司使用。Cadence，三星没有透露它是否使用薄膜来保护光掩模免于降级，
▲图自ANANDTECH
这家半导体制造商表示，该技术使用极紫外光刻(EUVL)制作选择层。因此，该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE：3400B EUVL步进扫描系统和每个280 W光源上处理1500个晶圆。
10月18日消息 根据外媒AnandTech的消息，“晶圆生产方式的这种根本性转变使我们的客户有机会以卓越的产量，三星工厂周三表示，EUVL的使用使三星能够减少每个芯片所需的掩模数量并缩短其生产周期。减少的层数和更高的产量显着提高产品的上市时间。看起来，可能需要扩展其EUV容量。我们相信7LPP不仅是移动和HPC的最佳选择，” 三星电子代工销售和营销团队执行副总裁Charlie Bae说。三星和上述公司还提供HBM2 / 2E，除此之外，PCIe 5.0和112G SerDes等接口IP解决方案。此外，使用7LPP EUV技术制造的芯片可以与2.5D硅插入器(如果使用HBM2 / 2E存储器)以及三星的嵌入式无源基板耦合。该公司表示，
7LPP制造技术可以减少40%的面积(同样的复杂性)，包括Ansys，