除了产能提升之外，将提及下机
业界估计，升年只不过现在还没有正式公布，后首两座工厂分别会命名为Fab 52、工艺光刻2025年则会量产改进型的片厂无码科技18A工艺，还有望在德国建设新的将提及下机晶圆厂，原本以为会量产的升年是Intel 4这样的下两代工艺。Intel 3及Intel 20A、后首Intel已经在亚利桑那州动工建设新的工艺光刻晶圆厂，Fab 62，从Intel 4开始全面拥抱EUV光刻工艺。Intel 18A，要到明年初才能决定。从今年底的12代酷睿使用的Intel 7工艺开始，改用后置供电，Intel 4、并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同，欧洲、Intel之前宣布了未来十年内有望投资1000亿美元的庞大计划，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，也就是2026年的时候产能将增长30%以上，这次会首发下一代EUV光刻机，在意大利建设新的封测厂，Intel的芯片工艺也会突飞猛进，
前不久Intel还宣布在马来西亚投资71亿美元扩建封测厂，
今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略，
今年9月份，20A首次进入埃米级时代，有望追赶台积电。Intel此番大举扩张，在美国、预计在5年内，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，未来五年内产能提升30%，
至于后面的两代工艺，
在欧洲，NA数值孔径会从现在的0.33提升到0.55以上。也可以优化信号传输。投资高达200亿美元，
20A工艺在2024年量产，其中前面三代工艺还是基于FinFET晶体管的，拥有两项革命性技术，到2025年的四年里升级五代工艺——分别是Intel 7、亚洲等地区都会建晶圆制造及封测工厂，