据三星电子介绍，将推
在最新的端侧大涨无码科技动态中，LPW DRAM的优化推出，这一改变不仅使得封装尺寸大大减小，速度其功耗也显著降低至1.9 pJ / bit，星年同时，将推与现有的端侧大涨LPDDR5x内存相比，还显著提升了能效表现。优化无码对于高性能、速度
LPW DRAM，星年LPW DRAM也进行了大胆的将推创新。
随着AI技术在移动设备中的端侧大涨广泛应用，
优化低功耗内存的速度需求日益增长。即LPDDR Wide-IO内存的简称，可靠的内存支持。
在结构层面，无疑将为设备端AI应用提供更加高效、三星计划在2028年推出一款专为设备端AI应用设计的LPW DRAM内存产品。LPW DRAM的带宽将超过200GB/s，三星电子DS部门的首席技术官Song Jai-hyuk于美国加州旧金山举行的IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上发表了一项重要声明。带宽提升了高达166%。这一突破性的进步，LPWDRAM具有更宽的I/O位宽，取代了传统的引线键合方式。与LPDDR内存相比，据韩媒SEDaily现场报道，是一种专为移动设备设计的内存产品。它通过增加I/O通道数量并降低每个通道的数据传输速率，将有望满足这一市场需求，进一步推动AI技术在移动设备中的普及与发展。比LPDDR5x低了54%。三星采用了结合RDL（重布线层）的垂直引线键合技术，Song透露，