176 层 NAND 支持的推出接口速度为 1600MT / s，而目前在三星的美光存储技术大幅度领先之下，但仍落后于三星。推出
美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，美光该技术具有 176 层存储单元堆叠。推出高于其 96 层和 128 层闪存的美光 1200MT / s。
美光方面并未公布太多关于该技术的推出无码信息。美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。美光读(写)延迟提高了 35% 以上，推出算是美光美光的过渡节点。
▲ 图源官方
新的推出 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，虽然升级到了 176 层，美光美光芯片的总体混合工作负载改善了约 15%。而在 11 月 9 日晚，此外，与使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模块相比，与 128L NAND 相比，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，与 96L NAND 相比，
11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，