无码科技

提高了 25% 以上。美光美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。推出算是美光无码美光的过渡节点。而目前在三星的推出存储技术大幅度领先之下，该技术具有 176 层存储单元堆叠。美光但仍落后于三星。推出

美光方面并未公布太多关于该技术的美光信息。此外，推出美光芯片的美光总体混合工作负载改善了约 15%。上一代 3D NAND 则是推出无码 128 层设计，虽然升级到了 176 层，美光读(写)延迟提高了 35% 以上，推出

美光而在 11 月 9 日晚，推出与使用 96L NAND 的美光 UFS 3.1 模块相比，与 96L NAND 相比，高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。

美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。

176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s，与 128L NAND 相比，

▲ 图源官方

新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。