无码科技

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚,美光宣告了自己最新的第五

美光推出 176 层 3D NAND 算是美光美光的过渡节点

上一代 3D NAND 则是美光 128 层设计,

美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,推出读(写)延迟提高了 35% 以上,美光无码高于其 96 层和 128 层闪存的推出 1200MT / s。美光芯片的美光总体混合工作负载改善了约 15%。与 128L NAND 相比,推出

176 层 NAND 支持的美光接口速度为 1600MT / s,

▲ 图源官方

新的推出 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品,算是美光美光的过渡节点。

美光方面并未公布太多关于该技术的推出无码信息。美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。美光与 96L NAND 相比,推出

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的美光 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。

推出
提高了 25% 以上。美光此外,与使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模块相比,而目前在三星的存储技术大幅度领先之下,虽然升级到了 176 层,美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术,但仍落后于三星。并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。而在 11 月 9 日晚,该技术具有 176 层存储单元堆叠。

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