
美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,推出读(写)延迟提高了 35% 以上,美光无码高于其 96 层和 128 层闪存的推出 1200MT / s。美光芯片的美光总体混合工作负载改善了约 15%。与 128L NAND 相比,推出

176 层 NAND 支持的美光接口速度为 1600MT / s,

▲ 图源官方
新的推出 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品,算是美光美光的过渡节点。
美光方面并未公布太多关于该技术的推出无码信息。美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。美光与 96L NAND 相比,推出
11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的美光 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。
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