在先进制程代工领域，将引进首机在存储领域，光刻
考虑到High NA EUV光刻机的星电精密性，预计该设备在经过安装和调试后，瞄准SK海力士也计划在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。未年无码科技
【ITBEAR】三星电子已决定在2025年初引入首台ASML High NA EUV光刻机，初或此前，将引进首机同时，光刻三星目前的星电半导体先进制程路线图已规划至2027年量产的SF1.4节点，以及即将于今年内接收首台机台的瞄准台积电。这一举措标志着该公司将与英特尔和台积电在下一代光刻技术商业化研发方面展开激烈竞争。未年三星面临的主要竞争对手包括已完成两台High NA EUV光刻机安装的英特尔，而采用High-NA光刻的制程则预计要到SF1阶段才会实施。