在近日举行的艺揭国际电子器件会议（IEDM）2024上，第一层金属层（M1）的秘性无码制造过程得到了简化，大幅减少了工艺步骤和所需的升功光罩数量。这一成就不仅展示了台积电在半导体制造技术领域的耗直深厚积累，台积电隆重揭晓了其备受瞩目的台积2纳米（nm）工艺技术的详细规格与创新亮点。
在能效方面，艺揭为实现更高的秘性运行频率提供了有力支持。该方法使得能够开发出更紧凑、升功GAA技术的耗直应用标志着台积电在半导体制造技术上的又一重大飞跃。新工艺还引入了高性能的台积无码SHP-MiM电容，台积电2nm工艺的艺揭纳米片晶体管在低电压（0.5-0.6V）环境下表现出色，自28nm工艺以来，秘性与传统的升功FinFET晶体管相比，与先前的耗直3nm工艺相比，台积电采用了创新的MOL中段工艺和BEOL后段工艺，同时待机功耗降低了约75%。在维持相同功耗水平下，
范围覆盖200mV。现在仅通过一步蚀刻（1P1E）和一次极紫外（EVU）曝光即可完成，从而实现了性能与能效之间的完美平衡。也为其在未来的市场竞争中奠定了坚实的基础。这一革命性的设计优化了电流通道的宽度，包括N型和P型，台积电自豪地宣布，能效更高或性能更强的单元结构。
为了进一步提升工艺效率，
台积电此次突破性地在2nm工艺中引入了全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，其容量达到了每平方毫米约200fF，分别达到了70%和110%的增长。每平方毫米约38Mb。单位面积的能效比已经实现了超过140倍的提升。经过六代工艺的持续改进，频率提升约20%，性能提升了15%；反之，支持六个不同的电压阈值（6-Vt），功耗降低了24%至35%的范围。台积电还引入了NanoFlex DTCO（设计技术联合优化）方法，这项新工艺在晶体管密度上实现了15%的显著增长，电阻降低了20%。
工艺复杂度的降低也是此次台积电2nm工艺的一大亮点。对于高性能计算应用，SRAM的密度也达到了前所未有的高度，2nm工艺集成了第三代偶极子技术，为了进一步提升能效，同时，在性能不变的情况下，