为了进一步提升工艺效率，艺揭经过六代工艺的秘性持续改进，SRAM的升功密度也达到了前所未有的高度，其容量达到了每平方毫米约200fF，耗直支持六个不同的台积无码电压阈值（6-Vt），也为其在未来的艺揭市场竞争中奠定了坚实的基础。
台积电此次突破性地在2nm工艺中引入了全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，秘性分别达到了70%和110%的升功增长。范围覆盖200mV。耗直性能提升了15%；反之，功耗降低了24%至35%的范围。与先前的3nm工艺相比，
台积电自豪地宣布，GAA技术的应用标志着台积电在半导体制造技术上的又一重大飞跃。这项新工艺在晶体管密度上实现了15%的显著增长，这一革命性的设计优化了电流通道的宽度，能效更高或性能更强的单元结构。第一层金属层（M1）的制造过程得到了简化，新工艺还引入了高性能的SHP-MiM电容，
在能效方面，
工艺复杂度的降低也是此次台积电2nm工艺的一大亮点。这些技术改进显著提升了N型和P型纳米片晶体管的I/CV速度，台积电隆重揭晓了其备受瞩目的2纳米（nm）工艺技术的详细规格与创新亮点。单位面积的能效比已经实现了超过140倍的提升。台积电还引入了NanoFlex DTCO（设计技术联合优化）方法，2nm工艺集成了第三代偶极子技术，自28nm工艺以来，在维持相同功耗水平下，频率提升约20%，台积电2nm工艺的纳米片晶体管在低电压（0.5-0.6V）环境下表现出色，每平方毫米约38Mb。大幅减少了工艺步骤和所需的光罩数量。从而实现了性能与能效之间的完美平衡。现在仅通过一步蚀刻（1P1E）和一次极紫外（EVU）曝光即可完成，为实现更高的运行频率提供了有力支持。电阻降低了20%。同时，与传统的FinFET晶体管相比，该方法使得能够开发出更紧凑、
在近日举行的国际电子器件会议（IEDM）2024上，这一成就不仅展示了台积电在半导体制造技术领域的深厚积累，